Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Infineon SPP07N60S5

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: SPP07N60S5

Ficha de dados: SPP07N60S5 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TO-220-3

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 3641 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Adicionar à lista técnica

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para SPP07N60S5 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

SPP07N60S5 Descrição geral

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.3A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:83W; Power Dissipation Pd:83W; Power Dissipation Ptot Max:83W; Pulse Current Idm:14.6A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V

spp07n60s5

Características

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R
  • DS(on)
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V Id - Continuous Drain Current: 7.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 600 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 82 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: CoolMOS Series: CoolMOS S5
Packaging: Tube Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single Fall Time: 20 ns
Height: 15.65 mm Length: 10 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 40 ns
Factory Pack Quantity: 500 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 170 ns
Typical Turn-On Delay Time: 120 ns Width: 4.4 mm
Part # Aliases: SPP7N6S5XK SP000012115 SPP07N60S5HKSA1

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The SPP07N60S5 chip is a power MOSFET transistor that is designed for high-voltage switching applications in power supplies and motor control systems. It features a low on-resistance and a high switching capability, making it suitable for use in high-power circuits. This chip is commonly used in a variety of industrial and consumer electronic devices.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products for the SPP07N60S5 chip. However, alternative options that offer similar functionalities and features are available from different manufacturers, such as the IRF840, IRFP260, and IRF1404.
  • Features

    The SPP07N60S5 is a high-voltage power MOSFET. Some of its features include a drain-source voltage rating of 650V, a continuous drain current of 7A, a low on-resistance of 0.4Ω, and a fast switching capability. It is designed for use in various applications such as power supplies, motor control, and inverters.
  • Pinout

    The SPP07N60S5 is a power transistor with a TO-220 package. It has 3 pins: the drain (D), the source (S), and the gate (G). The drain is connected to the positive power supply, the source connects to the load, and the gate controls the transistor's conductivity.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SPP07N60S5. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in the production of power electronics, microcontrollers, and other integrated circuits.
  • Application Field

    The SPP07N60S5 is a power MOSFET transistor that can be used in a variety of applications, including motor control, power supplies, and inverters. It is particularly suitable for high-frequency applications due to its low internal capacitance and high switching speed capabilities.
  • Package

    The SPP07N60S5 chip is a silicon-based power MOSFET that comes in a TO-220 package. The package form is a transistor-outline with three pins, enabling easy integration into electronic circuits. The size of the TO-220 package is approximately 10.4mm x 15.5mm x 4.6mm (length x width x height).

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar SPP07N60S5 PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...