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Pedidos acima de
$5000IXFH26N50Q
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFH26N50Q
Ficha de dados: IXFH26N50Q Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.149 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH26N50Q Descrição geral
Introducing the advanced IXFH26N50Q Power MOSFET from the Q-Class series, designed for high-performance applications where efficiency and reliability are key. With its low gate charge and robust construction, this HiPerFET™ device is ideal for both hard switching and resonant mode operations, delivering exceptional performance in a range of industrial settings. Whether you're looking for a MOSFET with a fast intrinsic diode or superior ruggedness, the IXFH26N50Q has you covered
Características
- High-voltage withstand capability
- Ruggedized gate oxide structure
- Robust inductorless startup
Aplicativo
- High efficiency
- Versatile applications
- Cutting-edge design
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™ | Package | Tube |
| Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 13A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) | Package / Case | TO-247-3 |
| Base Product Number | IXFH26 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFH26N50Q is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed, high-voltage switching applications. It operates at a voltage of 500V and can handle a continuous current of 26A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
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Equivalent
Equivalent products of IXFH26N50Q chip include Infineon's IXFH20N50Q, IXFH22N50Q, and IXFH30N50Q. These are also MOSFET transistors with similar specifications and functionality. -
Features
IXFH26N50Q is a 500V, 26A, Q-Class HiPerFET power MOSFET with a low RDS(on) of 0.13 ohms. It is designed for high performance applications, offers low switching losses, fast switching speeds, and high frequency operation. It also has a rugged and reliable design for demanding industrial and power conversion applications. -
Pinout
The IXFH26N50Q is a 3-pin TO-247 package IGBT transistor with a pin count of 3, including gate, collector, and emitter pins. The function of this transistor is to act as a high voltage, high-speed switch used in power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. -
Manufacturer
The IXFH26N50Q is manufactured by IXYS Corporation, a company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors used in a variety of industries including telecommunications, industrial, medical, and consumer electronics. Their products are known for their reliability and efficiency in power conversion applications. -
Application Field
The IXFH26N50Q is a high power N-channel IGBT used in various power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It is also suitable for industrial and commercial applications where high efficiency, fast switching, and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXFH26N50Q chip comes in a TO-247 package. It is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a standard through-hole form and a size of approximately 20.32mm x 9.91mm x 4.32mm.
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