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Infineon ISC060N10NM6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: ISC060N10NM6ATMA1
Ficha de dados: ISC060N10NM6ATMA1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: PG-TDSON-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 2693 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaISC060N10NM6ATMA1 Descrição geral
N-Channel 100 V 15A (Ta), 97A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Características
- DS(on)
- 30% improved FOM
- g
- gd
- Lower and softer reverse recovery charge (Q
- rr
- Ideal for high switching frequency
- MSL 1 classified according to J-STD-020
- 175 °C junction temperature rating
- High avalanche energy rating
- Pb-free lead plating
- RoHS compliant
- Low conduction losses
- Low switching losses
- Fast turn on and off
- Less paralleling required
- Robust reliable performance
- Environmentally friendly
- Less paralleling required
Aplicativo
- Telecom
- Server
- Drones
- Robotics
- Solar
- Power tools
- Battery management system
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
-
![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The ISC060N10NM6ATMA1 chip is a power transistor designed for high voltage applications. It offers a low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in various power management circuits. The chip is specifically designed to provide efficient and reliable performance, making it ideal for applications in consumer electronics, telecommunications, industrial equipment, and other high-power devices.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products for the ISC060N10NM6ATMA1 chip, as it is a unique product with its specific specifications. However, other power MOSFETs from various manufacturers may offer similar features and performance, such as Infineon's IPS060N10N3 G, Vishay's SiR636ADP, or ON Semiconductor's NTHL080N120SC1. -
Features
The features of ISC060N10NM6ATMA1 include a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 44A, a low on-resistance of 6 mΩ, and a fast switching speed. Additionally, it has a small form factor and is suitable for applications in power management and motor control. -
Pinout
The ISC060N10NM6ATMA1 is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: the gate (1), drain (2), and source (3). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the ISC060N10NM6ATMA1. It is a German semiconductor and system solutions company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The ISC060N10NM6ATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in applications requiring high efficiency and low power loss, such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters. It is also suitable for use in battery management systems, renewable energy systems, and automotive applications. -
Package
The ISC060N10NM6ATMA1 chip is packaged in a TO-220 form, which is a type of through-hole package commonly used for power semiconductors. Its size measures approximately 10mm x 15mm.
Ficha de dados PDF
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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Recomendar
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