Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto!

Infineon SPA04N80C3 48HRS

N-Channel 800 V 4A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: SPA04N80C3

Ficha de dados: SPA04N80C3 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TO-220FP

Status RoHS:

Condição de estoque: 2.633 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $1,812 $1,812
10 $1,593 $15,930
50 $1,456 $72,800
100 $1,316 $131,600
500 $1,253 $626,500
1000 $1,225 $1225,000

Em estoque: 2.633 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para SPA04N80C3 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

SPA04N80C3 Descrição geral

N-Channel 800 V 4A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31

spa04n80c3

Características

  • It has a voltage rating of 800V and can handle a continuous current of 4A.
  • The device has a low on-state resistance (RDS(on)) of 1.1 ohms.
  • It is designed with advanced MOSFET technology, which ensures high switching speed and efficiency.

Aplicativo

  • The SPA04N80C3 is commonly used in switching power supplies, lighting systems, and motor control circuits.
  • It is also used in electronic ballasts for fluorescent lamps and other high-frequency applications.

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V Id - Continuous Drain Current: 4 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.1 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.1 V Qg - Gate Charge: 31 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 38 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: CoolMOS Series: CoolMOS C3
Packaging: Tube Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single Fall Time: 12 ns
Height: 16.15 mm Length: 10.65 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 15 ns
Factory Pack Quantity: 500 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 72 ns
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns Width: 4.85 mm
Part # Aliases: SPA4N8C3XK SP000216300 SPA04N80C3XKSA1

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Peças Equivalentes

Para o SPA04N80C3 componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:

Número da peça

Marcas

Pacote

Descrição

Número da peça :   IRFP460

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :   This is a similar MOSFET transistor with a voltage rating of 500V and a current rating of 20A.

Número da peça :   STP4NK80Z

Marcas :  

Pacote :   TO-220

Descrição :   N-channel 800V - 3 Ohm - 3A TO-220 / TO-220FP / DPAK / IPAK Zener-protected Supermesh Power MOSFET

Número da peça :   IXFH4N80

Marcas :  

Pacote :  

Descrição :   This is a MOSFET transistor with a voltage rating of 800V and a current rating of 4A.

Part points

  • The SPA04N80C3 is a power MOSFET transistor designed for high-voltage applications. It features a drain-source voltage of 800V, making it suitable for various power supply and switching applications. With low on-resistance and high switching speed, it offers efficiency and reliability in power electronics designs.
  • Equivalent

    Equivalent products to the SPA04N80C3 chip include Infineon's IPW04N80C3 and STMicroelectronics' STW04N80C3. These are power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, suitable for various power electronics applications.
  • Features

    SPA04N80C3 features a high voltage MOSFET designed for switching power supply applications with a VDS rating of 800V, a low on-resistance of 0.7 ohms, and a low gate charge of 45nC. It also has a TO-220 packaging, making it suitable for various power applications.
  • Pinout

    The SPA04N80C3 is a power MOSFET transistor with 4 pins. Pin functions are typically Gate (G), Drain (D), Source (S), and possibly a fourth pin for additional features like temperature sensing or current sensing. For precise details, consult the datasheet.
  • Manufacturer

    The SPA04N80C3 is manufactured by Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon serves various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics, providing solutions for efficient energy usage and electronic systems.
  • Application Field

    The SPA04N80C3 is a power MOSFET commonly used in high-power switching applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. Its low on-state resistance and high current-handling capability make it suitable for various high-voltage applications where efficient power handling is critical.
  • Package

    The SPA04N80C3 chip is a Power MOSFET with a TO-220AB package type, through-hole mounting form, and a size of approximately 10.03mm x 15.77mm x 4.5mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar SPA04N80C3 PDF Download

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar