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Infineon IPD600N25N3GATMA1

Name: IPD600N25N3GATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

250V, 25A N-Channel MOSFET in TO252-3 package configuration

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: IPD600N25N3GATMA1

Ficha de dados: IPD600N25N3GATMA1 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: PG-TO252-3

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 2248 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPD600N25N3GATMA1 Descrição geral

The IPD600N25N3GATMA1 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon Technologies. It features a high drain current rating of 600A and a low on-resistance of 25mΩ, making it ideal for high-power applications such as motor control and power supplies.This MOSFET has a voltage rating of 30V, allowing it to handle high voltage loads with ease. It also has a gate threshold voltage of 2.5V, making it suitable for interfacing with low voltage control signals.The IPD600N25N3GATMA1 is designed for efficient power conversion, with a fast switching speed and low losses. This makes it a great choice for applications that require high efficiency and minimal heat generation.In terms of packaging, this MOSFET comes in a TO-252 package, which is a surface-mount package that is easy to work with and provides good thermal performance.

Características

600V Drain-Source Voltage
25A Drain Current
3.1mΩ RDS(ON) Maximum Resistance
Enhancement Mode
Advanced ThinQ Technology
N-Channel MOSFET
TO-252-3 Package

Aplicativo

Automotive electric powertrain systems
Industrial motor control applications
Switched-mode power supplies
DC-DC converters
Robotics and automation systems
Renewable energy systems
Battery management systems
Uninterruptible power supplies (UPS)
Solar inverters
Electric vehicle charging systems

Especificações

Parâmetro	Valor	Parâmetro	Valor
functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing	DPAK	msl	1
halogenFree	yes	customerInfo	STANDARD
fgr	N70	productClassification	ASP
productStatusInfo	active and preferred	hfgr	A
packageName	PG-TO252-3	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP001127834
fourBlockPackageName	PG-TO252-3-313	rohsCompliant	yes
opn	IPD600N25N3GATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP001127834

Envio

	Taxa de envio	Tempo de espera
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento		Taxa de mão
	Transferência bancária	cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
	PayPal	cobrar taxa de serviço de 4,0%.
	Cartão de crédito	cobrar taxa de serviço de 3,5%.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Grama de dinheiro	cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

Etapa1 :produtos
Etapa2 :Embalagem a vácuo
Etapa3 :Saco antiestático
Etapa4 :Embalagem individual
Etapa5 :Caixas de embalagem
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

Part points

The IPD600N25N3GATMA1 chip is a high-performance power MOSFET designed for use in various applications, such as power supplies and motor control. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-frequency operation. Additionally, it has a compact size and efficient performance, making it an ideal choice for space-constrained designs.
Features

The IPD600N25N3GATMA1 is a power MOSFET with a rugged design and low on-state resistance. It offers high performance and improved efficiency in applications that require switching frequencies up to 100kHz. This MOSFET also has a built-in gate-to-source voltage (VGS) protection, making it reliable and safe to use.
Pinout

The IPD600N25N3GATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of these pins include the gate (G), drain (D), and source (S).
Manufacturer

The manufacturer of the IPD600N25N3GATMA1 is Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer that engages in the production of a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, industrial, chip card, and power management.
Application Field

The IPD600N25N3GATMA1 is a high-performance power MOSFET designed for various applications, including power supplies, motor control, and automotive systems. It features a low on-resistance, high efficiency, and excellent switching performance, making it suitable for use in a wide range of industrial and consumer electronic devices.
Package

The IPD600N25N3GATMA1 chip is packaged in a D²PAK form with a size of 10mm x 11mm (3.3mm height).

IPP60R180C7

Infineon

IPD042P03L3 G

Infineon

IPB015N08N5ATMA1

Infineon

IPB017N10N5LFATMA1

Infineon

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon

IPB180N03S4L-H0

infineon

IPA60R190P6

infineon

IPA60R180P7S

INFINEON

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar IPD600N25N3GATMA1 PDF Download

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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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L***m Jul 29, 2023

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L***n Jun 20, 2022

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