Pedidos acima de
$5000NXP MRFE6VS25GNR1
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Nxp
Parte do fabricante #: MRFE6VS25GNR1
Ficha de dados: MRFE6VS25GNR1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT1731-1
Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
MRFE6VS25GNR1 Descrição geral
Featuring a TO-270 packaging with 2 pins, the MRFE6VS25GNR1 is easy to integrate into existing circuit designs. It has a maximum operating temperature of 225°C, ensuring reliable performance even in demanding thermal environments. The transistor has a MSL (Moisture Sensitivity Level) rating of MSL 3, meaning it can withstand exposure to moisture for up to 168 hours without any degradation in performance
Características
- Voltage range: 3.3-12 V
Aplicativo
- Data transmission devices
- Power amplifier circuits
- Signal processing units
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
isExSample | true | orderingCode | 935314771528 |
isDistributor | true | salesNum | MRFE6VS25GNR1 |
leadTime | 12 | pack_type | REEL |
exclusiveItemType | ITEM_TYPE_SAMPLE | price_flg | N |
pack_desc | Reel 13" Q2/T3 in Drypack | minPackQty | 500 |
status | Not Recommended for New Designs |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
![]() |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
![]() |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
![]() |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
![]() |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
![]() |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
Etapa1 :produtos
-
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
Etapa3 :Saco antiestático
-
Etapa4 :Embalagem individual
-
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The MRFE6VS25GNR1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in high-performance RF applications. It operates at a frequency range of 1.8-600 MHz, with an output power of up to 44 dBm. The chip features high gain and efficiency, making it ideal for applications such as RF power amplifiers in communication systems.
-
Equivalent
The equivalent products of MRFE6VS25GNR1 chip are MRFE6VS25N and MRFE6VS25NR1, both featuring the same operating frequency range, output power, and other specifications as the original MRFE6VS25GNR1 chip. -
Features
The MRFE6VS25GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in HF and VHF applications. It features a high output power of 270W, high efficiency, and excellent linearity. It is designed for ruggedness and reliability in high-power amplifiers. -
Pinout
The MRFE6VS25GNR1 is a 1800W CW average power N-channel RF power Field Effect Transistor (FET) with a maximum frequency of 500 MHz. It has a 211-pin ceramic-metal seal package with five input and five output ports, as well as gate, drain, and source connections. -
Manufacturer
The manufacturer of MRFE6VS25GNR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch semiconductor manufacturer that produces a wide range of products including microcontrollers, connectivity solutions, RF components, and secure identification solutions. They specialize in providing technology solutions for industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and security. -
Application Field
The MRFE6VS25GNR1 is commonly used in industrial, scientific, and medical (ISM) applications such as plasma generation, MRI machines, and RF heating systems. It is also used in high-power linear amplifiers, radar systems, and radio transmitters for communication purposes. -
Package
The MRFE6VS25GNR1 chip is in a ceramic package with a flange. It is in the form of a surface-mount device. The chip size is 14.993mm x 11.73mm x 4.8mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos