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NXP MRFE6VS25GNR1

Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Nxp

Parte do fabricante #: MRFE6VS25GNR1

Ficha de dados: MRFE6VS25GNR1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOT1731-1

Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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MRFE6VS25GNR1 Descrição geral

Featuring a TO-270 packaging with 2 pins, the MRFE6VS25GNR1 is easy to integrate into existing circuit designs. It has a maximum operating temperature of 225°C, ensuring reliable performance even in demanding thermal environments. The transistor has a MSL (Moisture Sensitivity Level) rating of MSL 3, meaning it can withstand exposure to moisture for up to 168 hours without any degradation in performance

Características

  • Voltage range: 3.3-12 V

Aplicativo

  • Data transmission devices
  • Power amplifier circuits
  • Signal processing units

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
isExSample true orderingCode 935314771528
isDistributor true salesNum MRFE6VS25GNR1
leadTime 12 pack_type REEL
exclusiveItemType ITEM_TYPE_SAMPLE price_flg N
pack_desc Reel 13" Q2/T3 in Drypack minPackQty 500
status Not Recommended for New Designs

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The MRFE6VS25GNR1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in high-performance RF applications. It operates at a frequency range of 1.8-600 MHz, with an output power of up to 44 dBm. The chip features high gain and efficiency, making it ideal for applications such as RF power amplifiers in communication systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of MRFE6VS25GNR1 chip are MRFE6VS25N and MRFE6VS25NR1, both featuring the same operating frequency range, output power, and other specifications as the original MRFE6VS25GNR1 chip.
  • Features

    The MRFE6VS25GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in HF and VHF applications. It features a high output power of 270W, high efficiency, and excellent linearity. It is designed for ruggedness and reliability in high-power amplifiers.
  • Pinout

    The MRFE6VS25GNR1 is a 1800W CW average power N-channel RF power Field Effect Transistor (FET) with a maximum frequency of 500 MHz. It has a 211-pin ceramic-metal seal package with five input and five output ports, as well as gate, drain, and source connections.
  • Manufacturer

    The manufacturer of MRFE6VS25GNR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch semiconductor manufacturer that produces a wide range of products including microcontrollers, connectivity solutions, RF components, and secure identification solutions. They specialize in providing technology solutions for industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and security.
  • Application Field

    The MRFE6VS25GNR1 is commonly used in industrial, scientific, and medical (ISM) applications such as plasma generation, MRI machines, and RF heating systems. It is also used in high-power linear amplifiers, radar systems, and radio transmitters for communication purposes.
  • Package

    The MRFE6VS25GNR1 chip is in a ceramic package with a flange. It is in the form of a surface-mount device. The chip size is 14.993mm x 11.73mm x 4.8mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

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