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NXP MRF6S20010GNR1
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Marcas: NXP Semiconductor
Parte do fabricante #: MRF6S20010GNR1
Ficha de dados: MRF6S20010GNR1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-270
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3565 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaMRF6S20010GNR1 Descrição geral
RF FET, 68V, 2.2GHZ-1.6GHZ, TO-270G; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 2.2GHz; Operating Frequency Max: 1.6GHz; RF Transistor Case: TO-270G; No. of
Características
- Operating frequency: 1920 - 1990 MHz
- Output Power: 10 W
- Efficiency: 57%
- Gain: 12 dB
- Voltage: 32 V
- Package: OM-780-4
Aplicativo
- AFT05MS004NT1
- BLC9G20L-160AV
- FLL57MK-A
- PTFA091001FV5
- QPD0009L
- SPF-2860Z
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-270 GULL |
| feature-standard-package-name1 | TO-270 GULL | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
-
![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
-
![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The MRF6S20010GNR1 chip is a high-frequency, power amplifier designed for applications in the industrial, scientific, and medical fields. It offers a frequency range of 2110 to 2170 MHz with a maximum output power of 10 watts. The chip is designed to provide reliable and efficient amplification for wireless communication systems, enabling enhanced performance and signal quality.
-
Equivalent
Some equivalent products to the MRF6S20010GNR1 chip are the BLC10G25LS-100AVR chip, the HMC311SC60 chip, and the MAMX-011013 chip. -
Features
The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor with a frequency range of 1920-1980 MHz. It offers a typical power output of 10 Watts and has a gain of 17.6 dB. This transistor is designed for use in applications such as cellular base stations, mobile radios, and other RF power amplifiers. -
Pinout
The MRF6S20010GNR1 is a transistor with a pin count of 4. Its primary function is to amplify signals in the range of 1.85 GHz to 2.17 GHz. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6S20010GNR1 is NXP Semiconductors. NXP is a Dutch multinational semiconductor manufacturer that specializes in the research, development, and production of a wide range of integrated circuits, including RF power amplifiers like the MRF6S20010GNR1. -
Application Field
The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in broadcast applications, including TV and radio transmitters. It provides excellent performance and power efficiency, making it suitable for various broadcast systems and equipment. -
Package
The MRF6S20010GNR1 chip is available in a TO-270 package type, with a flanged ceramic form. The size of the chip is typically 10.1 mm x 8.9 mm.
Ficha de dados PDF
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