As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto
NXP FGH60N60UFD
IGBT, 600V, 20A, 1.8V, TO-247Low VCE(ON) Field Stop
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FGH60N60UFD
Ficha de dados: FGH60N60UFD Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-247
Tipo de Produto: Semicondutores Discretos
Status RoHS:
Condição de estoque: 3129 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Adicionar à lista técnicaFGH60N60UFD Descrição geral
Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Características
- High current capability
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A
- High input impedance
- Fast switching: EOFF =14uJ/A
- RoHS compliant
Aplicativo
- Energy Generation & Distribution
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
| Brand | onsemi | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 450 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
-
![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
-
![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
-
![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The FGH60N60UFD chip is a power semiconductor device designed for use in high-power applications such as motor drives, UPS systems, and induction heating. It offers low switching losses, high efficiency, and reliable performance. The chip features a 600V voltage rating and a maximum current rating of 60A, making it suitable for demanding industrial applications.
-
Equivalent
Equivalent products of the FGH60N60UFD chip include IRG4BC40UD, STGW30NC60WD, and FGH60N60SMD. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the FGH60N60UFD in various applications. -
Features
- 600V, 60A field stop IGBT - Ultrafast diode - Low VCE(sat) for higher efficiency - High frequency operation - Diode soft recovery for reduced EMI - Low EMI due to short tail current - Positive temperature coefficient VCE(sat) - Pb-free lead plating - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 -
Pinout
The FGH60N60UFD is a 3-pin TO-247 package with two terminals for power connections (Source and Drain) and one terminal for the Gate. It is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high-power switching applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 60A. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the FGH60N60UFD. They are a leading semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for applications in automotive, industrial, communication, and consumer electronics markets. They specialize in power management, microcontrollers, and sensor solutions. -
Application Field
The FGH60N60UFD is a high-power IGBT designed for applications such as motor control, inverters, UPS systems, and welding equipment. It can also be used in renewable energy systems, such as solar inverters and wind turbine converters. Its fast switching speeds and high power handling capabilities make it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The FGH60N60UFD chip is a IGBT module with a TO-247 package type. It has a single form factor with a size of 23.4mm x 27.6mm x 6.8mm.
Ficha de dados PDF
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
![produtos]( "produtos")
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
![quantity]( "quantity")
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
![shipping]( "shipping")
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
![garantia]( "garantia")
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos
