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$5000
NXP MJE13009
12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MJE13009
Ficha de dados: MJE13009 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.630 peças, novo original
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,453 | $0,453 |
| 10 | $0,411 | $4,110 |
| 30 | $0,390 | $11,700 |
| 100 | $0,292 | $29,200 |
| 500 | $0,279 | $139,500 |
| 1000 | $0,273 | $273,000 |
Em estoque: 3.630 PCS
MJE13009 Descrição geral
MJE13009 is a type of NPN bipolar power transistor that is commonly used in high-voltage switching applications.
Características
- Collector-emitter voltage of 600V
- Collector current of 12A
- Power dissipation of 150W
- High switching speed
- Low saturation voltage
Aplicativo
- Switch mode power supplies
- High-voltage electronic ballasts for fluorescent lamps
- Motor control circuits
- AC-DC converters
- Voltage regulators
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Name | MJE13009 | Product Type | NPN Silicon Power Transistor |
| Collector-Emitter Voltage (Vce) | 700V | Collector Current (Ic) | 12A |
| Base Current (Ib) | 2A | Power Dissipation (Pd) | 80W |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz | Operating Temperature Range | -65°C to 150°C |
| Package | TO-220 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o MJE13009 componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : NTE2667
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : TIP35C
Marcas :
Pacote : TO-247
Descrição : Trans GP BJT NPN 100V 25A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Número da peça : MJW16010
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : MJH16010
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : BDW93C
Marcas :
Pacote : TO-220
Descrição : BDW93/A/B/CSilicon NPN Power Transistors
Número da peça : BDW94C
Marcas :
Pacote : TO-220
Descrição : Trans Darlington PNP 100V 12A 80000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Part points
-
The MJE13009 is a high voltage NPN power transistor that is widely used in various electronic applications. It can handle high power dissipation and voltage levels up to 400V, making it suitable for use in power supplies, inverter circuits, motor control, and audio amplifiers. The transistor is designed to deliver high performance and efficiency while ensuring reliable operation in demanding conditions.
-
Equivalent
Some equivalent products of the MJE13009 chip include the STMicroelectronics ST13009, ON Semiconductor TIP3055, Fairchild Semiconductor KSE13009, and NXP Semiconductors MJE13009G. -
Features
The MJE13009 is an NPN silicon power transistor with a maximum collector-emitter voltage of 400V, a continuous collector current of 12A, and a power dissipation of 80W. It is primarily used in high-speed, high-power switching applications and offers excellent switching times, low saturation voltage, and a built-in base-emitter shunt to improve switching characteristics. -
Pinout
The MJE13009 is a transistor with a TO-220 package. It has three pins - the collector (C), base (B), and emitter (E). The collector is connected to the positive power supply, the emitter is connected to ground, and the base is used to control the flow of current between the collector and emitter. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJE13009 is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management and precision applications. -
Application Field
The MJE13009 is a high-voltage, high-speed NPN transistor commonly used in power supply circuits, switch mode power supplies (SMPS), inverters, and high-frequency applications. It is specifically designed for applications requiring high collector-emitter voltage and current capabilities. -
Package
The MJE13009 chip is a power transistor available in a TO-220AB package. It features a through-hole form with a size of 10.67mm x 4.57mm.
Ficha de dados PDF
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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