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ON FQB22P10TM
P-Channel 100 V 22A (Tc) 3.75W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Marcas: ON Semiconductor, LLC
Parte do fabricante #: FQB22P10TM
Ficha de dados: FQB22P10TM Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: D2PAK
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3060 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFQB22P10TM Descrição geral
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Características
- -22A, -100V, RDS(on) =125mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -11A
- Low gate charge ( Typ.40nC)
- Low Crss ( Typ. 160pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating
Aplicativo
- Other Industrial
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 |
| Case Outline | 418AJ | MSL Type | 1 |
| MSL Temp (°C) | 245 | Container Type | REEL |
| Container Qty. | 800 | ON Target | Y |
| Channel Polarity | P-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | -100 | VGS Max (V) | ±30 |
| VGS(th) Max (V) | -4 | ID Max (A) | -22 |
| PD Max (W) | 125 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | - | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 125 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 40 |
| Ciss Typ (pF) | 1170 | Pricing ($/Unit) | $0.8005Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | DMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 100 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±30 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 22 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 125@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 40@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 40 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1170@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 3750 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The FQB22P10TM is a power mosfet chip designed for switching applications. it features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power electronics applications such as voltage regulators, motor control, and power supplies. with its compact size and high performance, this chip offers efficient power management solutions.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products to the FQB22P10TM chip. however, similar alternatives may include the irf5305pbf, psmn1r8-30ylc, or the stb30n10blt4. it is recommended to consult the datasheets of these chips to ensure compatibility with your specific requirements. -
Features
The FQB22P10TM is a power mosfet transistor with a drain-source voltage of 100 v, a drain current rating of 22 a, and a low on-resistance. it features a fast switching speed, low gate charge, and high ruggedness. this transistor is commonly used in power supply and motor control applications. -
Pinout
The FQB22P10TM is a mosfet transistor with 3 pins. the pinout functions are as follows: - pin 1: gate (g) - pin 2: drain (d) - pin 3: source (s) -
Manufacturer
The manufacturer of the FQB22P10TM is fairchild semiconductor. fairchild semiconductor is an american company that specializes in the design, development, and production of power and discrete semiconductors. -
Application Field
The FQB22P10TM is a power mosfet transistor. it can be used in various applications such as power supplies, motor control, audio amplification, and switching circuits. -
Package
The FQB22P10TM is a chip that comes in a to-263 package type. it is in a through-hole form and has a size of approximately 9.66mm x 11.56mm x 4.83mm.
Ficha de dados PDF
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