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ON FQD19N10LTM
Transistor with N-channel design, 100V voltage rating, 15.6A current capability, in a 3-pin DPAK package with 2 tabs
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FQD19N10LTM
Ficha de dados: FQD19N10LTM Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: DPAK-3 , TO-252-3
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2808 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFQD19N10LTM Descrição geral
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Características
- 15.6A, 100V, RDS(on) = 100mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 7.8A
- Low gate charge ( Typ. 14nC)
- Low Crss ( Typ. 35pF)
- 100% avalanche tested
Aplicativo
- LCD TV
- PDP TV
- LED TV
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 | Case Outline | 369AS |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 100 |
| VGS Max (V) | ±20 | VGS(th) Max (V) | 2 |
| ID Max (A) | 15.6 | PD Max (W) | 50 |
| RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 100 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 14 |
| Ciss Typ (pF) | 670 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FQD19N10LTM is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices and circuits. It is designed to handle high current and voltage levels, making it suitable for power management applications. The chip offers low on-resistance and efficient switching characteristics to ensure optimal performance. With its compact size and durable construction, the FQD19N10LTM chip is widely used in various industries for power switching and amplification purposes.
-
Equivalent
Some equivalent products to the FQD19N10LTM chip include IRF3710, FQP19N10L, FDC855N, and IRF9540. These chips also have similar specifications and functions in various applications. -
Features
The FQD19N10LTM is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 19A, and a low on-resistance. It is designed for high-efficiency applications and has a compact TO-252 package. Additionally, it has a fast switching speed and is suitable for use in power management circuits. -
Pinout
The FQD19N10LTM is a MOSFET transistor with a TO-252 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source, making it suitable for power switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD19N10LTM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and markets power management and discrete semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunication. -
Application Field
The FQD19N10LTM is a field-effect transistor (FET) typically used in power management applications such as switch mode power supplies, motor controls, LED lighting, and other high-power devices. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for various applications that require reliable power control and management. -
Package
The FQD19N10LTM chip is packaged in a DPAK (TO-252) form. Its size is 6.6mm x 9.2mm x 2.3mm.
Ficha de dados PDF
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