ON FQT7N10LTF
High-Voltage N-Channel Mosfet in SOT-223 Package with 0.35 Ohm On-Resistance
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FQT7N10LTF
Ficha de dados: FQT7N10LTF Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-223-4 , TO-261-4
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3059 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFQT7N10LTF Descrição geral
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 380 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 110 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 30 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2
Características
- 1.7A, 100V, RDS(on) = 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 0.85A
- Low gate charge ( Typ. 5.8nC)
- Low Crss ( Typ. 10pF)
- 100% avalanche tested
Aplicativo
- LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-223-4 / TO-261-4 | Case Outline | 318H-01 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 4000 |
ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 100 |
VGS Max (V) | ±20 | VGS(th) Max (V) | 2 |
ID Max (A) | 1.7 | PD Max (W) | 2 |
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 350 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 4.6 |
Ciss Typ (pF) | 220 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FQT7N10LTF is a power MOSFET chip commonly used in electronic devices. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and lighting systems. The chip offers a low on-resistance and helps reduce power losses while improving overall system performance.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the FQT7N10LTF chip. However, you can consider other N-channel MOSFETs with similar specifications and features such as the IRF640, IRF740, or FQP47P10. It is important to review the data sheets to ensure compatibility with your specific requirements. -
Features
FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It has a compact and efficient design suitable for high power applications, such as motor control and power supply systems. -
Pinout
The FQT7N10LTF is a power MOSFET transistor. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current from the Source to the Drain. -
Application Field
The FQT7N10LTF is a highly efficient power MOSFET designed for general-purpose applications. It can be used in various areas such as power management, switching power supplies, motor control, and lighting applications. Its low on-resistance and high current handling capability make it suitable for high-performance applications where low power losses and efficient power transfer are essential. -
Package
The FQT7N10LTF chip is available in a DPAK package type.
Ficha de dados PDF
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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Competitive pricing, but customer service was a bit slow to respond.