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ON FDS8958B
Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET 30V for high-performance power applications
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDS8958B
Ficha de dados: FDS8958B Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOIC-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 3851 peças, novo original
Tipo de Produto: Transistores
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,595 | $0,595 |
| 10 | $0,495 | $4,950 |
| 30 | $0,445 | $13,350 |
| 100 | $0,396 | $39,600 |
| 500 | $0,330 | $165,000 |
| 1000 | $0,314 | $314,000 |
In Stock:3851 PCS
FDS8958B Descrição geral
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Características
- Q1 N-Channel
Max. RDS(on) = 26 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.4 A
Max. RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.2 A - Q2 P-Channel
Max. RDS(on) = 51 mΩ at VGS = -10 V, ID = -4.5 A
Max. RDS(on) = 80 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -3.3 A - HBM ESD protection level > 3.5 kV
- RoHS Compliant
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- DC-DC Conversion
- BLU and Motor Drive Inverter
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 26 mOhms, 51 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V, - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V, 3 V |
| Qg - Gate Charge | 12 nC, 19 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS8958B | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 2 ns, 6 ns |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 2 ns, 6 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 nS, 17 nS | Typical Turn-On Delay Time | 4.3 nS, 6 nS |
| Width | 3.9 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDS8958B chip is a power MOSFET designed for use in low-voltage applications. It features a low on-resistance, making it suitable for various electronic devices like smartphones, tablets, and portable electronics. The chip is designed to provide efficient power management and reliable performance in a compact form factor.
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Pinout
The FDS8958B is a dual N-channel, logic level, PowerTrench® MOSFET. It has a pin count of 8. Common functions of its pins include gate control, source connection, and drain connection for each of the two internal MOSFETs. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS8958B is Fairchild Semiconductor. It is an American semiconductor company that specializes in power and mobile semiconductor technologies. -
Application Field
The FDS8958B is a small signal N-channel MOSFET commonly used in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and power switches. It is suitable for low power devices and can be used in various electronic systems where efficient power control is required. -
Package
The FDS8958B chip is available in a SOP-8 package, which stands for Small Outline Package. It has a size of 3.91mm x 4.90mm.
Ficha de dados PDF
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