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ON FQA8N100C
Maximum voltage rating: 1000V
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FQA8N100C
Ficha de dados: FQA8N100C Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-3PN-3
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3138 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFQA8N100C Descrição geral
MOSFET, N CH, 1KV, 8A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Di
Características
- 8A, 1000V, RDS(on) = 1.45Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4A
- Low gate charge ( Typ. 53nC)
- Low Crss ( Typ. 16pF)
- 100% avalanche tested
Aplicativo
- Uninterruptible Power Supply
- Other Industrial
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3PN-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1 kV | Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.45 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 70 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 225 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | QFET | Series | FQA8N100C |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 80 ns | Forward Transconductance - Min | 8 S |
| Height | 20.1 mm | Length | 16.2 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 95 ns |
| Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 122 ns | Typical Turn-On Delay Time | 50 ns |
| Width | 5 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FQA8N100C is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high voltage applications. It offers a low on-resistance and is capable of handling high current levels. The chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
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Features
FQA8N100C is a high-voltage N-channel MOSFET with a maximum drain current of 8A, a breakdown voltage of 1000V, and a low on-resistance of 0.6Ω. It is designed for high-power switch mode applications, featuring a fast switching speed, high ruggedness, and low gate charge. -
Pinout
The FQA8N100C is a power MOSFET with a TO-3P package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQA8N100C is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor company that designs, develops, and manufactures semiconductor devices, including power and discrete products, as well as analog and mixed-signal integrated circuits. -
Application Field
The FQA8N100C is a power MOSFET designed for high current, high-speed switching applications. It finds application in various areas such as motor control, power supplies, lighting systems, and automotive systems where efficient power handling and fast switching are required. -
Package
The FQA8N100C chip comes in a TO-247 package type, with a Through Hole mounting form and a size of approximately 15.75mm x 5.21mm.
Ficha de dados PDF
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