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ON FQA140N10
Transistor MOSFET with N-type channel, capable of handling up to 100 volts and 140 amps, packaged in TO-3P(N) format
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FQA140N10
Ficha de dados: FQA140N10 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-3PN-3
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2556 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFQA140N10 Descrição geral
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Características
- 140A, 100V
RDS(on) = 10mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 70A - Low gate charge ( Typ. 220nC)
- Low Crss ( Typ. 470pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating
Aplicativo
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Workstation
- Server & Mainframe
- Desktop PC
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
- Switched Mode Power Supplies
- Audio Amplifiers
- DC Mode Control
- Variable Switching Power Applications
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3PN-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 140 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 285 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 375 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | QFET | Series | FQA140N10 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 360 ns | Forward Transconductance - Min | 80 S |
| Height | 20.1 mm | Length | 16.2 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 940 ns |
| Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 350 ns | Typical Turn-On Delay Time | 75 ns |
| Width | 5 mm | Part # Aliases | FQA140N10_NL |
| Unit Weight | 0.162260 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FQA140N10 is a power MOSFET chip designed for high-performance applications. It has a low resistance and can handle high currents, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other demanding applications. This chip offers excellent thermal performance and high efficiency, making it a reliable choice for various power electronic designs.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQA140N10 chip include the IRF1405, IRFB3077, IRFP240, and FDS 6680A. -
Features
The FQA140N10 is a power MOSFET transistor with a 100V voltage rating and 140A current rating. It has a low on-resistance of 0.014 ohms, ensuring high efficiency. This device also features a low gate charge and is designed for use in power supply, motor control, and industrial applications. -
Pinout
The FQA140N10 is a 100V N-Channel MOSFET transistor. It has a TO-3P package with 3 pins. The pin configuration is gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQA140N10 is the company Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a leading global supplier of high-performance power and mobile products, specializing in the design, development, and manufacturing of power semiconductors and integrated circuits. -
Application Field
The FQA140N10 is a power MOSFET transistor commonly used in high-current applications such as motor drives, power supplies, and automotive systems. Its low on-resistance and high switching speed make it suitable for high-power and high-efficiency applications. -
Package
The FQA140N10 chip comes in a package type known as TO-3P. Its form is transistor. The size refers to its dimensions, which are typically 10.41mm x 16.51mm.
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Definitely worth the investment for the level of quality provided.