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ON FDD3670
FDD3670 100V N-Channel Power MOSFET TO-252AA Package
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDD3670
Ficha de dados: FDD3670 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: DPAK-3 (TO-252-3)
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3814 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDD3670 Descrição geral
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Características
- 34 A, 100 V
- RDS(ON) = 32 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 6 V
- Low gate charge (57 nC typical)
- Fast switching speed.
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON).
- High power and current handling capability.
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 34 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 80 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 3.8 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | Series | FDD3670 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 25 ns | Forward Transconductance - Min | 31 S |
| Height | 2.39 mm | Length | 6.73 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Width | 6.22 mm | Part # Aliases | FDD3670_NL |
| Unit Weight | 0.011640 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDD3670 chip is a power MOSFET transistor used for switching applications. It is designed to handle high current and voltage levels, making it suitable for various power management circuitry. The chip’s low switching losses and fast switching speed make it ideal for applications such as motor control, power supplies, and lighting systems.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products to the FDD3670 chip as it is a unique chip with its own specifications and features. However, there may be other similar power MOSFETs available in the market that can offer comparable functionality. -
Features
The FDD3670 is a power MOSFET with a drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 72A, making it suitable for various high-power applications. It features low ON-resistance, excellent thermal stability, and fast switching performance, providing efficient power management solutions in electronic devices. -
Pinout
The FDD3670 is a 10-pin N-Channel PowerTrench MOSFET. Its pins include the gate, source, and drain terminals for control and power applications. It is designed for efficient operation and high performance in power management circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDD3670 is Fairchild Semiconductor. It is a global company that specializes in the design, development, and production of power semiconductors and integrated circuits. Fairchild Semiconductor provides a diverse range of products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FDD3670 is a power MOSFET designed for use in applications such as motor drives, LED lighting, and switching power supplies. It can also be used in industrial automation and automotive systems where high current handling and low conduction losses are required. -
Package
The FDD3670 chip is available in a package type of DPAK, with a form factor of TO-252AA. It has a size dimension of approximately 6.6 mm x 9.7 mm.
Ficha de dados PDF
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