Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto!

ON FDN5618P 48HRS

channel 60v 1.25a on tape

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: FDN5618P

Ficha de dados: FDN5618P Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SSOT-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
5 $0,131 $0,655
50 $0,105 $5,250
150 $0,094 $14,100
500 $0,078 $39,000
3000 $0,072 $216,000
6000 $0,068 $408,000

Em estoque: 9.458 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para FDN5618P ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

FDN5618P Descrição geral

The FDN5618P is a N-channel PowerTrench MOSFET transistor manufactured by Fairchild Semiconductor, now part of ON Semiconductor. It is designed for use in power management and load switching applications where high efficiency and low power consumption are desired. The FDN5618P has a drain-source voltage (VDS) rating of 20V and a continuous drain current (ID) of 5.4A, making it suitable for a wide range of low to medium power applications. It features a low on-resistance (RDS(on)) of 60mΩ at a gate-source voltage (VGS) of 4.5V, ensuring minimal power loss and heat generation during operation. This MOSFET transistor is housed in a small and compact package, specifically the PowerPAK SO-8, which allows for easy integration into space-constrained designs. It also has a low gate charge and fast switching speeds, enabling high efficiency and fast response times in switching applications.

Características

  • FDN5618P is a P-channel MOSFET transistor designed for low power applications
  • It has a low on-resistance of 0
  • 08 ohms and a maximum drain current of 7
  • 3A
  • The transistor is housed in a compact SOT-23 package for easy integration into circuits
  • It is ideal for battery-powered devices and other applications requiring efficient power management
  • Aplicativo

  • The FDN5618P is commonly used in a variety of applications including load switch circuits, voltage regulation circuits, power management systems, and battery protection circuits
  • It is particularly suitable for low voltage applications requiring high efficiency and low power consumption
  • Additionally, it is commonly used in portable electronics, consumer electronics, and automotive systems
  • Especificações

    Parâmetro Valor Parâmetro Valor
    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SSOT-3 Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
    Id - Continuous Drain Current 1.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 170 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
    Qg - Gate Charge 13.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 500 mW
    Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
    Series FDN5618P Brand onsemi / Fairchild
    Configuration Single Fall Time 8 ns
    Forward Transconductance - Min 4.3 S Height 1.12 mm
    Length 2.9 mm Product MOSFET Small Signals
    Product Type MOSFET Rise Time 8 ns
    Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 P-Channel Type MOSFET
    Typical Turn-Off Delay Time 16.5 ns Typical Turn-On Delay Time 6.5 ns
    Width 1.4 mm Part # Aliases FDN5618P_NL
    Unit Weight 0.001058 oz

    Envio

    Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

    Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

    Pagamento

    Termos de pagamento Taxa de mão
    Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
    PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
    Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
    Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
    Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

    Garantias

    1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

    2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

    Embalagem

    • produtos

      Etapa1 :produtos

    • Embalagem a vácuo

      Etapa2 :Embalagem a vácuo

    • Saco antiestático

      Etapa3 :Saco antiestático

    • Embalagem individual

      Etapa4 :Embalagem individual

    • Caixas de embalagem

      Etapa5 :Caixas de embalagem

    • etiqueta de envio com código de barras

      Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

    Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

    Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

    Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

    Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

    • ESD
    • ESD

    Part points

    • The FDN5618P is a chip used in electronic circuits. It is a small-scale power MOSFET designed for low-voltage applications, typically operating at 30V. The chip has a compact size and low on-resistance, making it suitable for various electronic devices that require power switching or amplification. FDN5618P also offers low gate threshold voltage and fast switching times, making it efficient and reliable for use in low-power applications.
    • Equivalent

      Some equivalent products to the FDN5618P chip could be the FDN3055L, FDS6574, FDS6680, or FDS8433.
    • Features

      FDN5618P is a P-channel PowerTrench MOSFET with a voltage rating of -60V and a continuous drain current of -22A. It features low on-resistance, low gate charge, and a small form factor, making it suitable for various power management applications.
    • Pinout

      The FDN5618P is a P-channel MOSFET transistor. It has a pin count of three, with a drain pin, a source pin, and a gate pin. The drain pin is connected to the positive voltage supply, the source pin is connected to the load or ground, and the gate pin is used to control the flow of current through the transistor.
    • Manufacturer

      The manufacturer of the FDN5618P is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, develops, and manufactures a wide range of semiconductor solutions for various industries, including automotive, communication, consumer electronics, and industrial applications.
    • Application Field

      The FDN5618P is a power MOSFET transistor with a low on-resistance, which makes it suitable for various applications like power management, load-switching, motor control, and battery protection in portable devices, consumer electronics, and automotive systems.
    • Package

      The FDN5618P chip has a package type of SOT-23, a form of SMD (Surface Mount Device), and a size of 2.92mm x 1.3mm.

    Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

    • produtos

      Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

    • quantity

      A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

    • shipping

      A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

    • garantia

      365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

    Avaliações e comentários

    Avaliações
    Por favor, avalie o produto!
    Por favor insira um comentário

    Envie comentários após fazer login em sua conta.

    Enviar

    Recomendar

    • NTJD4105CT1G

      NTJD4105CT1G

      ON

      English expressions

    • MJF18008G

      MJF18008G

      Onsemi

      8A 450V 45W NPN Bipolar Transistors

    • MJE5731AG

      MJE5731AG

      Onsemi

      The MJE5731AG is a PNP transistor suitable for gen...

    • MJE350G

      MJE350G

      Onsemi

      This transistor has a power dissipation of 20000mW...

    • NSS1C200LT1G

      NSS1C200LT1G

      Onsemi

      SOT-23 Packaged PNP Bipolar Junction Transistor (B...

    • MJW21195G

      MJW21195G

      ON

      BJT PNP 250V 16A 200W TO-247 Tube