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Pedidos acima de
$5000SI7997DP-T1-GE3
SI7997DP-T1-GE3 is a PowerPAK SO-packaged P-channel MOSFET designed to operate at -20.8V
Marcas: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Parte do fabricante #: SI7997DP-T1-GE3
Ficha de dados: SI7997DP-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK-SO-8
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.047 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7997DP-T1-GE3 Descrição geral
Meet the SI7997DP-T1-GE3, a robust Power Field-Effect Transistor specifically engineered to handle demanding power requirements with ease. Boasting a generous 60A I(D) and a low on-resistance of 0.0078ohm, this P-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET delivers exceptional performance in a wide range of applications. Its 2-element configuration provides added flexibility for intricate circuit designs, while the HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT construction aligns with environmental standards. Housed in a convenient POWERPAK, SOP-8 package, this transistor is designed for seamless integration and reliable operation. Whether it's for telecommunications, renewable energy systems, or power supplies, the SI7997DP-T1-GE3 is the go-to solution for efficient power management
Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 45 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 60 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0078 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-XDSO-C5 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 5 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | UNSPECIFIED | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 46 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | C BEND | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI7997DP-T1-GE3 is a power management IC (PMIC) integrated circuit designed by Vishay Intertechnology. It features a synchronous buck-boost converter with an integrated FET, offering high efficiency and a compact footprint for various power supply applications. This chip provides high output voltage accuracy and supports a wide input voltage range, making it suitable for use in a range of consumer electronics and industrial devices.
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Equivalent
The SI7997DP-T1-GE3 chip is an N-channel MOSFET. Equivalent products include the Si7898DP and Si7157DP. These chips have similar specifications can be used as drop-in replacements for the SI7997DP-T1-GE3. -
Features
1. SI7997DP-T1-GE3 is a 30V P-channel TrenchFET power MOSFET. 2. It has a low on-resistance of 8.4mΩ at 10V. 3. It comes in a compact 3x3mm PowerPAK package. 4. It is suitable for battery protection, load switching, and power management applications. 5. It offers high efficiency and low power dissipation. 6. It has a high current-handling capability. -
Pinout
The SI7997DP-T1-GE3 is a dual-channel, low-side power switch with a pin count of 8. It offers overcurrent protection thermal shutdown features, making it suitable for applications such as USB ports, hot-swap circuits, and power distribution systems. -
Manufacturer
The SI7997DP-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay Intertechnology is a global electronic components company that produces a wide range of products including discrete semiconductors, passive components, and integrated circuits. They are known for their high-quality components used in various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI7997DP-T1-GE3 is a power MOSFET designed for applications such as DC-DC converters, synchronous rectification in AC-DC power supplies, and motor control in consumer electronics, industrial equipment, and automotive systems. Its low on-resistance and fast switching capabilities make it suitable for high-efficiency power management solutions. -
Package
The SI7997DP-T1-GE3 chip comes in a DFN package type, with dual P-Channel MOSFETs in a single 2mm x 2mm package size.
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