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Pedidos acima de
$5000SIR626DP-T1-RE3
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Marcas: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Parte do fabricante #: SIR626DP-T1-RE3
Ficha de dados: SIR626DP-T1-RE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK® SO-8
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.027 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIR626DP-T1-RE3 Descrição geral
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Características
- Sophisticated logic and control
- User-friendly interface with intuitive controls
- Advanced sensor technology for precise monitoring
- Fully compatible with standard protocols
- Easy integration into existing systems
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| Factory Lead Time | 14 Weeks, 4 Days | Date Of Intro | 2017-03-22 |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | Avalanche Energy Rating (Eas) | 125 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 100 A |
| Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.002 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 104 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Turn-off Time-Max (toff) | 78 ns |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SIR626DP-T1-RE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for applications in the 0.5 to 2.5 GHz frequency range. This chip offers excellent power added efficiency and linearity, making it ideal for use in cellular infrastructure, repeaters, small cells, and other wireless communication systems. Its compact size and high reliability make it a versatile option for high-power RF applications.
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Equivalent
Some equivalent products of SIR626DP-T1-RE3 chip are SIR633DP-T1-RE3, SIR624DP-T1-RE3, and SIR625DP-T1-RE3 from the same manufacturer. These chips are all dual P-channel MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- SIR626DP-T1-RE3 is a high-speed, low resistance, dual P-channel MOSFET - Features a drain-source voltage of -30V - Provides a maximum continuous drain current of -7A - Designed for use in portable electronics, battery protection circuits, and load switching applications -
Pinout
The SIR626DP-T1-RE3 is a Dual P-Channel MOSFET with 8 pins. Its functions include providing high-speed switching for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SIR626DP-T1-RE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a company that specializes in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components. They are known for their high-quality products and innovative solutions for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
SIR626DP-T1-RE3 is commonly used in applications requiring fast switching speeds and high breakdown voltage, such as high-frequency power amplifiers, radar systems, and microwave applications. It is also suitable for use in power management systems, RF transmitters, and satellite communication systems. -
Package
The SIR626DP-T1-RE3 chip is a diode rectifier in a D-PAK package. It has a surface mount form and a size of 6.6mm x 9.2mm x 3.6mm.
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