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IRF7306PBF
HEXFET MOSFET featuring a dual N-channel design with a gate charge of 16.7nC
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: IRF7306PBF
Ficha de dados: IRF7306PBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: 8-SOIC
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.379 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $3,098 | $3,098 |
| 200 | $1,236 | $247,200 |
| 500 | $1,194 | $597,000 |
| 1000 | $1,174 | $1174,000 |
Em estoque: 6.379 PCS
IRF7306PBF Descrição geral
Designed for reliability and performance, the IRF7306PBF is a versatile and cost-effective solution for power management needs. Its P-Channel configuration simplifies circuit design and offers compatibility with a range of signal levels
Características
LOGIC LEVEL COMPATIBLEAplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | HEXFET® | Package | Tube |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.8A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 2W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IRF7306PBF is a power MOSFET chip used in electronic devices. It is designed for switching applications and offers low on-resistance, efficient power dissipation, and reliable performance. The chip is commonly used in power supplies, motor control circuits, and general-purpose switching applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IRF7306PBF chip are the SI7469DP and the SSM3K333R. -
Features
The features of IRF7306PBF include a dual N and P channel MOSFET, a maximum drain-source voltage of 30V, a maximum drain current of 4.8A, a low on-resistance for efficient performance, and a compact package design for space-saving applications. -
Pinout
The IRF7306PBF is a dual Power MOSFET with a pin count of 8. It has two independent N-channel MOSFETs with source and drain pins for each, along with gate and ground pins. It is commonly used in switching applications and motor control circuits. -
Manufacturer
The IRF7306PBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company. It specializes in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors, catering to the automotive, industrial, and consumer electronics markets. -
Application Field
The IRF7306PBF is a small power MOSFET transistor commonly used in a variety of applications. It is commonly used in motor control, load switching, battery management, and power supply circuits. With its compact size and high current handling capabilities, it is suitable for a range of low voltage applications. -
Package
The IRF7306PBF chip is packaged in a power SO-8 package type. It has a discrete semiconducting form and a compact size to facilitate mounting and integration into electronic circuits.
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