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SI7119DN-T1-GE3
P-Channel 200 V (D-S) MOSFET
Marcas: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Parte do fabricante #: SI7119DN-T1-GE3
Ficha de dados: SI7119DN-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK-1212-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.648 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,515 | $0,515 |
| 10 | $0,453 | $4,530 |
| 30 | $0,422 | $12,660 |
| 100 | $0,393 | $39,300 |
| 500 | $0,374 | $187,000 |
| 1000 | $0,365 | $365,000 |
Em estoque: 8.648 PCS
SI7119DN-T1-GE3 Descrição geral
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Características
Aplicativo
Active Clamp in Intermediate DC/DC Power SuppliesEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8 |
| Reach Compliance Code | compliant | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 1.25 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
| Drain Current-Max (ID) | 1.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 1.1 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | S-XDSO-C5 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Shape | SQUARE | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 52 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 5 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | PURE MATTE TIN | Terminal Form | C BEND |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI7119DN-T1-GE3 is a chip manufactured by Vishay Semiconductors. It is a dual N-channel 30 V MOSFET with a low on-resistance of 2.2 mΩ. This chip is designed for use in various applications, including power management, load switches, and battery protection circuits. It features a compact SOT-363 package, making it suitable for space-constrained designs.
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Features
SI7119DN-T1-GE3 is a 20V N-Channel MOSFET with a low on-resistance of 3.1mΩ. It has a compact 2x2mm MLP package and is suitable for power management applications. It offers low gate charge, fast switching, and high efficiency. It is designed to improve system performance in a wide range of electronic devices. -
Pinout
The SI7119DN-T1-GE3 is a dual n-channel MOSFET transistor with a pin count of 8. Its primary function is to control the flow of electrical current in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7119DN-T1-GE3 is Vishay Siliconix, a semiconductor company specializing in the design and production of power electronic components. -
Application Field
The SI7119DN-T1-GE3 is a dual N-channel 30V MOSFET commonly used in power management applications, such as dc-to-dc converters, load switches, and battery charging circuits. It is suitable for use in various electronic devices, including smartphones, tablets, laptops, and other portable devices.
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