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IRF8313PBF
IRF8313PBF 30V 9.7A 15.5mΩ@10V,9.7A 2W 2.35V@25uA
Marcas: IR
Parte do fabricante #: IRF8313PBF
Ficha de dados: IRF8313PBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOP8
Status RoHS:
Condição de estoque: 60 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,645 | $0,645 |
| 10 | $0,529 | $5,290 |
| 30 | $0,469 | $14,070 |
| 95 | $0,411 | $39,045 |
| 475 | $0,377 | $179,075 |
| 1045 | $0,359 | $375,155 |
Em estoque: 60 PCS
IRF8313PBF Descrição geral
Featuring two elements in a compact MS-012AA package, this transistor offers high reliability and performance in a small footprint. Its metal-oxide semiconductor design ensures high switching speeds and low power losses, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9.7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 21.6 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Qg - Gate Charge | 6 nC |
| Pd - Power Dissipation | 2 W | Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Dual | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 95 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | SP001570694 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IRF8313PBF is a power MOSFET transistor chip designed for switching applications with high efficiency and fast switching speeds. It has a low on-resistance and can handle high current loads, making it suitable for power management in various electronic devices.
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Equivalent
Equivalent products to the IRF8313PBF chip include the IRF4905PBF, IRF4905SPBF, IRF9Z34NPBF, and IRF7105PBF. These chips are all power MOSFET transistors designed for high current applications in power supplies, motor controls, and other electronic devices. -
Features
The IRF8313PBF is a 30V N-channel power MOSFET with a low on-state resistance of 5.4mΩ, making it ideal for high-efficiency power management applications. It has a compact TO-220 package, a 12A continuous drain current, and a 50A pulsed drain current. It is suitable for use in switching regulators, DC-DC converters, and power management circuits. -
Pinout
The IRF8313PBF is a MOSFET transistor with a pin count of 6. Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. Pin 4, 5, and 6 are internally connected and serve as the drain connection. -
Manufacturer
The IRF8313PBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a leading global provider of semiconductor solutions for automotive, industrial, communication, and digital security applications. They specialize in power semiconductors, digital security solutions, and sensors for smart home and connected devices. -
Application Field
The IRF8313PBF is a P-channel power MOSFET commonly used in various applications such as power management, battery protection, load switching, and DC-DC converter circuits. It is suitable for use in portable electronics, motor control, automotive, industrial, and consumer electronics applications due to its high efficiency and low on-state resistance. -
Package
The IRF8313PBF chip is a surface mount package, specifically a Dual N-Channel Power MOSFET. It comes in a form of a transistor with two channels. The size of the chip is standard for surface mount components, commonly around 3.3mm x 3.3mm.
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