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NXP MRF6VP2600HR6
RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230
Marcas: NXP Semiconductor
Parte do fabricante #: MRF6VP2600HR6
Ficha de dados: MRF6VP2600HR6 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: NI-1230
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3405 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaMRF6VP2600HR6 Descrição geral
RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230
Características
- High power output: Typically capable of delivering up to 600 Watts of peak output power.
- High efficiency: Designed to operate with high efficiency, allowing for better power utilization in RF amplifier applications.
- Broadband performance: Suitable for operation across a wide frequency range, typically covering frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
- Rugged construction: Designed to withstand high operating voltages and currents, with built-in protection features to ensure reliable operation in demanding RF power amplifier applications.
- Integrated ESD protection: Includes Electrostatic Discharge (ESD) protection features to safeguard against damage from static electricity.
Aplicativo
- Wireless communication systems: Used in high-power RF amplifier stages of wireless communication systems, such as cellular base stations, repeaters, and wireless infrastructure equipment.
- Broadcast systems: Used in RF amplifiers for broadcasting applications, such as FM and TV transmitters.
- Industrial, scientific, and medical (ISM) applications: Used in RF amplifiers for ISM band applications, such as RF heating and plasma generation.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Case/Package | SOT | Mount | Screw |
| Number of Pins | 1230 | Weight | 13.155199 g |
| Current Rating | 10 µA | Drain to Source Breakdown Voltage | 110 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 110 V | Frequency | 225 MHz |
| Gain | 25 dB | Gate to Source Voltage (Vgs) | 10 V |
| Max Frequency | 500 MHz | Max Operating Temperature | 225 °C |
| Max Output Power | 125 W | Min Breakdown Voltage | 110 V |
| Min Operating Temperature | -65 °C | Number of Elements | 2 |
| Output Power | 125 W | Test Current | 2.6 A |
| Test Voltage | 50 V |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MRF6VP2600HR6 is a high-power radio frequency (RF) transistor chip designed for applications in the 2.45 GHz industrial, scientific, and medical (ISM) band. It offers high linearity and efficiency, making it suitable for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF power amplifiers. The chip is capable of delivering up to 2600 watts of power, making it ideal for high-power RF amplification needs.
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Features
The MRF6VP2600HR6 is a high-power RF power field-effect transistor (FET) designed for broadband commercial and industrial applications. It features up to 600 Watts of output power, excellent gain, and efficiency. It operates within the frequency range of 136 to 941 MHz and is suitable for high-power transmitter applications. -
Pinout
The MRF6VP2600HR6 is a RF power transistor with a pin count of 2. It is commonly used in high-power applications such as radio frequency amplifiers. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6VP2600HR6 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a global semiconductor company that designs and manufactures a wide range of products, including microcontrollers, processors, and integrated circuits. -
Application Field
The MRF6VP2600HR6 is a High Ruggedness N-Channel RF Power MOSFET designed for various applications in the L-Band radar, avionics, industrial, and scientific markets where high power and high reliability are required. -
Package
The MRF6VP2600HR6 chip has a package type of NI-1230-4. It is in a form factor of flanged ceramic package. The chip measures 39.62 mm x 39.62 mm x 11.68 mm in size.
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