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NXP MRF281ZR1

RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: NXP

Parte do fabricante #: MRF281ZR1

Ficha de dados: MRF281ZR1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: NI-200Z-3

Tipo de Produto: RF MOSFET Transistors

Status RoHS:

Condição de estoque: 9458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF281ZR1 Descrição geral

RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Operating Frequency: 1 GHz to 2.5 GHz
Gain: 11 dB Output Power: 4 W
Minimum Operating Temperature: - 65 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: NI-200Z-3
Packaging: Reel Brand: NXP Semiconductors
Channel Mode: Enhancement Configuration: Single
Height: 2.95 mm Length: 5.16 mm
Pd - Power Dissipation: 20 W Product Type: RF MOSFET Transistors
Subcategory: MOSFETs Type: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Width: 4.14 mm

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The MRF281ZR1 is a RF power amplifier chip developed by NXP Semiconductors. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz and is primarily used in wireless communications applications, such as cellular base stations. The chip provides high output power, high linearity, and efficient operation, making it suitable for 3G and 4G LTE networks.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the MRF281ZR1 chip include the MRF281SR1, MRF282Z, and MRF282XR1. These chips are all RF power transistors designed for high-performance applications.
  • Features

    The MRF281ZR1 is a high power RF transistor developed by NXP Semiconductors. It is designed for use in mobile radio applications in the 136-174 MHz frequency range. The key features of this transistor include high power output, excellent linearity, and efficiency, making it suitable for demanding communication requirements.
  • Pinout

    The MRF281ZR1 is a single-ended RF power amplifier transistor with a pin count of 3. The pins are labeled Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The collector is connected to the positive voltage supply, the base receives the input signal, and the emitter is grounded.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MRF281ZR1 is Motorola Solutions, Inc. It is an American company that specializes in communication technology and services.
  • Application Field

    The MRF281ZR1 is a high-frequency silicon bipolar RF power transistor designed for applications in the VHF frequency range. It is commonly used in TV broadcasting, VHF transmitters, and RF heating systems. Its high power and frequency capabilities make it suitable for use in various communication and industrial applications.
  • Package

    The MRF281ZR1 chip has a package type of SOT-223, a form of surface mount, and a size of around 6.7 mm x 6.7 mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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