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NXP MRF9030LR1 48HRS

RF MOSFET Transistors 30W RF PWR FET NI-360L

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: NXP Semiconductor

Parte do fabricante #: MRF9030LR1

Ficha de dados: MRF9030LR1 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: NI-360-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 3988 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $3,094 $3,094
200 $1,235 $247,000
500 $1,193 $596,500
1000 $1,173 $1173,000

In Stock:3988 PCS

- +

Rápida citação

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MRF9030LR1 Descrição geral

RF, MOSFET, N-CH, 945MHZ, 30W, NI360; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: 100µA; Power Dissipation Pd: 92W; No. of Pins: 2Pins; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Power Dissipation Max: 92W; Transistor

mrf9030lr1

Características

  • Operating frequency range of 860 to 960 MHz
  • High gain and efficiency
  • 30 W output power
  • Designed for use in Class AB and Class C amplifiers
  • Suitable for use in a range of applications, including wireless communication systems, broadcasting, and radar systems.

Aplicativo

  • BLF6G22LS-160B
  • BLY93B
  • MRF9030LR5
  • MRFE6VP61K25H
  • SD2933
  • STAC2942B-3

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Mount Screw Number of Pins 360
Weight 2.937804 g Drain to Source Breakdown Voltage 65 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 65 V Element Configuration Single
Frequency 945 MHz Gain 19 dB
Gate to Source Voltage (Vgs) 15 V Max Frequency 1 GHz
Max Operating Temperature 200 °C Max Power Dissipation 92 W
Min Operating Temperature -65 °C Number of Elements 1
Output Power 30 W Power Dissipation 92 W
Test Current 250 mA Test Voltage 26 V
Voltage Rating 68 V

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The MRF9030LR1 is a power amplifier chip designed for use in high-power applications, such as in mobile radios and base stations. It operates in the frequency range of 920-960 MHz and offers high efficiency and low distortion. The chip is suitable for both narrowband and broadband systems, making it a versatile option for a variety of RF communication needs.
  • Equivalent

    The equivalent products of MRF9030LR1 chip are Freescale MRF9030LR1 and NXP Semiconductors MRF9030LR1. These chips are compatible and can be used as alternatives to the MRF9030LR1 for RF power amplification applications in the same frequency range.
  • Features

    1. Designed for mobile radio applications 2. High power gain and efficiency 3. Operates in the 860-960 MHz frequency range 4. Excellent linearity and thermal stability 5. Provides 30 watts of output power 6. Suitable for use in FM, TDMA, and CDMA applications.
  • Pinout

    The MRF9030LR1 is a power amplifier transistor with a pin count of 4. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, pin 3 is the source, and pin 4 is the gate. Its function is to amplify RF signals in the 800-1000 MHz frequency range.
  • Manufacturer

    The MRF9030LR1 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer specializing in secure connectivity solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. NXP Semiconductors is known for its high-performance, energy-efficient products and technologies that power everyday devices and enable innovative applications in the Internet of Things (IoT) and mobile communication.
  • Application Field

    The MRF9030LR1 is a high-frequency RF power transistor suitable for applications in the industrial, scientific, medical (ISM) band, as well as radar and weather radar systems. It is commonly used in pulsed power and narrowband amplifiers operating in the 902-928 MHz frequency range.
  • Package

    The MRF9030LR1 is a package type of SOIC-12 form factor. The size of the chip is 3.9mm x 6mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar MRF9030LR1 PDF Download

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