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NXP MRF282ZR1

RF Mosfet 26 V 75 mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200Z

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: NXP Semiconductor

Parte do fabricante #: MRF282ZR1

Ficha de dados: MRF282ZR1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: NI-200Z-3

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 3684 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF282ZR1 Descrição geral

RF Mosfet 26 V 75 mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200Z

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel
Technology: Si Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V
Operating Frequency: 2 GHz Gain: 10.5 dB
Output Power: 10 W Minimum Operating Temperature: - 65 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: NI-200Z-3 Packaging: MouseReel
Brand: NXP Semiconductors Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single Height: 2.95 mm
Length: 5.16 mm Pd - Power Dissipation: 60 W
Product Type: RF MOSFET Transistors Series: MRF282ZR1
Factory Pack Quantity: 500 Subcategory: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V Width: 4.14 mm
Unit Weight: 0.004783 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The MRF282ZR1 is a high-power radio frequency (RF) chip designed for use in broadband applications, such as communication systems and radar systems. It offers impressive power output and efficiency, making it a popular choice for various RF applications that require high performance.
  • Equivalent

    The equivalent products of the MRF282ZR1 chip are MRF282Z and MRF282ZR2. These chips are all high-power LDMOS RF transistors designed for use in broadband applications such as wireless infrastructure and broadband RF amplifiers.
  • Features

    MRF282ZR1 is a RF power transistor with a frequency range from 470 MHz to 860 MHz, capable of delivering 140 watts of peak power and providing high gain for efficient RF power amplification. It is designed for applications in broadcast radio and industrial RF systems.
  • Pinout

    The MRF282ZR1 is a RF power transistor with a pin count of 2 (collector and base). It is designed for use in high power amplifier applications. The collector is used for connection to the power supply and the base is used for input signal control.
  • Manufacturer

    MRF282ZR1 is manufactured by Motorola Solutions, Inc. It is an American multinational company that provides communication equipment and services to government agencies, public safety organizations, and commercial enterprises worldwide. Motorola Solutions produces two-way radios, video security solutions, and other communication devices for public safety, enterprise, and industrial markets.
  • Application Field

    The MRF282ZR1 is a high-power super-lattice transistor designed for use in industrial, scientific, and medical applications. It is commonly used in radio frequency amplifiers, radar systems, particle accelerators, and other high-power RF applications that require excellent linearity, efficiency, and reliability.
  • Package

    The MRF282ZR1 chip comes in a surface mount package type with a form of Transistor Array. It has a size of 32-SMD (0.196" L x 0.097" W) or 7.90mm x 2.46mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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