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HGT1S20N60C3S9A
Product HGT1S20N60C3S9A is an N-Channel IGBT with a 45A, 600V rating
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: HGT1S20N60C3S9A
Ficha de dados: HGT1S20N60C3S9A Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: D2PAK-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.141 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $7,116 | $7,116 |
| 200 | $2,754 | $550,800 |
| 500 | $2,657 | $1328,500 |
| 800 | $2,610 | $2088,000 |
Em estoque: 6.141 PCS
HGT1S20N60C3S9A Descrição geral
In conclusion, the HGT1S20N60C3S9A is a high-quality IGBT module that delivers exceptional performance and reliability. Its advanced features, including a fast recovery diode and thermal management system, make it a standout choice for high-power applications. Upgrade your power systems with the HGT1S20N60C3S9A and experience unmatched efficiency and performance
Características
- Maximum Junction Operating Temperature: 150°C
- Operating Voltage Range: 12V to 15V
- Pulse Width: 10us to 100ms
Aplicativo
- For electronic devices
- Used in industrial machines
- Essential for power systems
- Ideal for energy-efficient solutions
- Key component for electrical equipment
- Versatile application in various industries
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
| Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 | Case Outline | 418AJ |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 800 |
| ON Target | N | V(BR)CES Typ (V) | 600 |
| IC Max (A) | 20 | VCE(sat) Typ (V) | 1.4 |
| Co-Packaged Diode | No |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The HGT1S20N60C3S9A chip is a power semiconductor device designed for high-speed switching applications. It features low on-state voltage, low gate charge, and high thermal performance, making it suitable for efficient and reliable power conversion in various electronics applications.
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Equivalent
Equivalent products of HGT1S20N60C3S9A chip are HGT1S20N60C3S and HGT1S20N60C3S9. These products are part of the HGT1S20N60C3 series and have similar specifications and features, making them suitable alternatives for the HGT1S20N60C3S9A chip. -
Features
1. Gate charge of 20nC 2. Continuous drain current of 60A 3. Low on-state voltage of 3.9V 4. Switching speed of 9A/ns 5. High reliability and robustness 6. Suitable for high-power applications such as motor drives and power supplies. -
Pinout
The HGT1S20N60C3S9A is a 20-pin IGBT module primarily used for power switching applications. It features high-speed switching capabilities, low power loss characteristics, and a continuous collector current of 20A. The pins include gate drive, emitter, collector, and various power supply connections. -
Manufacturer
The manufacturer of HGT1S20N60C3S9A is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturing company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions used in various applications such as automotive, industrial, and power electronics. -
Application Field
The HGT1S20N60C3S9A is a high-voltage IGBT designed for applications in induction heating, UPS systems, motor drives, and power supplies. Its high voltage and current ratings make it suitable for high-power and high-frequency switching applications, making it ideal for industrial and commercial applications requiring efficient power conversion. -
Package
The HGT1S20N60C3S9A chip comes in a TO-263-3 package type, is in a single form, and has a size of 6.7mm x 7.0mm x 3.1mm.
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