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BSS123-7-F
N-Channel 100 V 6 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
Marcas: DIODES INC
Parte do fabricante #: BSS123-7-F
Ficha de dados: BSS123-7-F Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.633 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 20 | $0,023 | $0,460 |
| 200 | $0,020 | $4,000 |
| 600 | $0,018 | $10,800 |
| 3000 | $0,017 | $51,000 |
| 9000 | $0,016 | $144,000 |
| 21000 | $0,015 | $315,000 |
Em estoque: 6.633 PCS
BSS123-7-F Descrição geral
The BSS123-7-F MOSFET is a high-performance N-channel transistor suitable for a wide range of applications. With a continuous drain current of 170mA and a drain source voltage of 100V, this MOSFET offers efficient power management capabilities. The on resistance of 6ohm and threshold voltage of 1.4V make it ideal for use in circuit designs requiring low power consumption and fast response times. Its SOT-23 packaging with 3 pins offers easy integration into circuit boards, while the operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable performance in various environmental conditions
Características
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- High Drain-Source Voltage Rating
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
- PPAP Capable (Note 4)
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | DIODES INC |
| Package Description | SOT-23, 3 PIN | Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 84 Weeks | Samacsys Manufacturer | Diodes Inc. |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.17 A | Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 6 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSS123-7-F is a N-channel MOSFET chip primarily used for switching applications in low voltage circuits. It has a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 170mA. The chip is commonly used in applications such as power management, battery charging, and LED lighting control.
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Equivalent
The equivalent products of the BSS123-7-F chip are BSS123LT1G, BSS123 E6327, BSS123LT1. -
Features
1. N-channel enhancement mode MOSFET 2. Low on-resistance (RDS(ON) = 2.5 ohms) 3. Low threshold voltage (Vgs(th) = 1 to 2 V) 4. Small SOT-23 surface mount package 5. Suitable for low power applications such as load switch, LED drive, and level shifting circuits. -
Pinout
The BSS123-7-F is a N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). Its function includes switching and amplification in electronic circuits, commonly used in applications like power management and signal processing. -
Manufacturer
The BSS123-7-F is manufactured by ON Semiconductor, a leading American semiconductor company. ON Semiconductor specializes in power and signal management, energy-efficient semiconductors, and manufacturing solutions for industries such as automotive, communications, computing, consumer, industrial, and medical. -
Application Field
The BSS123-7-F is commonly used in applications such as load switching, level shifting, and signal routing in portable devices, power management circuits, and low-voltage applications. It is also suitable for use in battery-powered systems, DC-DC converters, and switching regulators due to its low threshold voltage and high current handling capabilities. -
Package
The BSS123-7-F chip comes in a SOT-23 package type, with a single P-channel MOSFET transistor. It has a form factor of surface mount, with dimensions of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm. The chip size is 3.1mm².
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