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HGTP20N60A4
IGBT for high-voltage switch-mode power supply applications
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: HGTP20N60A4
Ficha de dados: HGTP20N60A4 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $1,030 | $1,030 |
| 200 | $0,400 | $80,000 |
| 500 | $0,385 | $192,500 |
| 800 | $0,379 | $303,200 |
Em estoque: 9.458 PCS
HGTP20N60A4 Descrição geral
Elevate your high voltage switching applications with the HGTP20N60A4, a game-changing IGBT that revolutionizes performance standards. By integrating the best attributes of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unmatched efficiency and reliability, making it an indispensable component for demanding industrial applications. Its optimized design ensures rapid switching speeds, making it a preferred choice for UPS systems and welding equipment where efficiency and precision are non-negotiable. Trust the HGTP20N60A4 to deliver unparalleled performance and durability in high frequency applications
Características
- High-Speed Switching : tD = 15ns @ IC = 40A
- Low Input Current : IIn = 1.5μA at TJ = 125°C
- Fast Reverse Recovery Time : trr = 25ns at IC = 30A
- Low Inductive Noise : LIn = 100nH @ TJ = 125°C
- High-Power Density : PD = 2.5W/cm² at TC = 110°C
- Ultra-Low Crosstalk : CT = -60 dB @ f = 1 kHz, VI = 10V
Aplicativo
- Transportation
- Telecommunications
- Energy
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 70 A |
| Pd - Power Dissipation | 290 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HGTP20N60A4 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 70 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 70 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA |
| Height | 9.4 mm | Length | 10.67 mm |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 800 |
| Subcategory | IGBTs | Width | 4.83 mm |
| Part # Aliases | HGTP20N60A4_NL |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The HGTP20N60A4 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip commonly used in power electronics applications. It offers low conduction losses and high switching speeds, making it suitable for applications like motor drives, inverters, and power supplies. With a voltage rating of 600V and a current rating of 40A, it provides efficient power switching in various industrial and automotive systems.
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Equivalent
Possible equivalent products of HGTP20N60A4 chip are IRG7PH46U and IRGP50B60PD1. These products have similar specifications and can be used as substitutes for HGTP20N60A4 in various applications. -
Features
The HGTP20N60A4 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 600V, a current rating of 40A, and a low on-resistance. It features a fast switching speed, making it suitable for high-frequency applications such as power supplies and motor control. -
Pinout
The HGTP20N60A4 is a MOSFET with 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It functions as a high-voltage, high-speed switch in power electronics applications. -
Manufacturer
The HGTP20N60A4 is manufactured by Fairchild Semiconductor, which produces power management and semiconductor devices. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in various electronic components, including MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), integrated circuits, and power modules for diverse applications in industries like automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The HGTP20N60A4 is commonly used in high-power switching applications such as power supplies, motor drives, and induction heating systems. Its high voltage and current ratings make it suitable for these demanding tasks, while its fast switching characteristics contribute to efficient operation. -
Package
The HGTP20N60A4 chip is a TO-220 package type, with a through-hole form factor, and its size is approximately 10.5mm x 15.5mm x 4.5mm.
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