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$5000HGTG20N60A4D
IGBT 600 V 70 A 290 W Through Hole TO-247-3
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: HGTG20N60A4D
Ficha de dados: HGTG20N60A4D Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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HGTG20N60A4D Descrição geral
Designed for high frequency switch mode power supplies, the HGTG20N60A4D is optimized to minimize conduction losses, making it ideal for applications where efficiency is paramount. Whether operating at high frequencies or in demanding conditions, this device ensures reliable performance and low power consumption. Its unique combination of features sets it apart from traditional MOSFETs and bipolar transistors, making it a versatile solution for a wide range of industrial and commercial applications
Características
- <100kHz Operation At 390V, 20A
- 200kHz Operation At 390V, 12A
- 600V Switching SOA Capability
- Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . .55ns at TJ = 125&°C
- Low Conduction Loss
- Temperature Compensating SABER™ Model
Aplicativo
- Other Industrial
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 70 A |
Pd - Power Dissipation | 290 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HGTG20N60A4D |
Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 70 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 70 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA |
Height | 20.82 mm | Length | 15.87 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 450 |
Subcategory | IGBTs | Width | 4.82 mm |
Part # Aliases | HGTG20N60A4D_NL |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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HGTG20N60A4D is a power semiconductor chip designed for high-voltage applications. It is a Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) that can handle up to 600V and 40A of current. This chip is commonly used in power electronics circuits to efficiently switch and control high-power loads such as motors, inverters, and power supplies.
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Equivalent
Some equivalent products of the HGTG20N60A4D chip are the IRG4PC50UD and the IRGPC50UD. -
Features
The HGTG20N60A4D is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It features a voltage rating of 600V, a current rating of 20A, and a low switching loss for efficient operation. It has a compact design, high reliability, and is suitable for use in various power electronics applications. -
Pinout
The HGTG20N60A4D is a 20-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module used for power electronics applications. It is designed for high voltage and high current switching applications, offering low power loss and high reliability. The pin count and specific functions of each pin can be found in the datasheet provided by the manufacturer. -
Manufacturer
The manufacturer of the HGTG20N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a multinational semiconductor and system solutions company. -
Application Field
The HGTG20N60A4D is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) commonly used in power electronics applications. It finds broad application in motor drives, DC-DC converters, UPS systems, welding equipment, and other high power systems requiring efficient switching capabilities and high voltage handling. -
Package
The HGTG20N60A4D chip is in a TO-247 package type, with a through-hole mounting form. It has a size of approximately 15.75mm (length) x 5.21mm (width) x 20.57mm (height).
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