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$5000
HGTG30N60A4D
600V, SMPS IGBT
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: HGTG30N60A4D
Ficha de dados: HGTG30N60A4D Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $7,287 | $7,287 |
10 | $6,438 | $64,380 |
30 | $5,921 | $177,630 |
90 | $5,212 | $469,080 |
Em estoque: 9.458 PCS
HGTG30N60A4D Descrição geral
The HGTG30N60A4D is a cutting-edge MOS gated high voltage switching device that represents the pinnacle of technological innovation in the field. By seamlessly blending the advantageous characteristics of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unparalleled performance and efficiency. With its high input impedance borrowed from MOSFETs and low on-state conduction loss reminiscent of bipolar transistors, the HGTG30N60A4D stands out as a game-changer in the realm of power electronics. Whether operating at 25°C or 150°C, this IGBT maintains a remarkably low on-state voltage drop, ensuring consistent performance across a wide range of temperatures
![](/files/uploads/product/b/4e02ad8a-0320-46bb-b3ba-1c57c9d26e18.webp)
Características
- Silicon-Carbide Based
- Low Loss Operation
- Rapid Recovery Capability
- Small Form Factor
Aplicativo
- Ultra Thin Laptop Cases
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 70 A | Pd - Power Dissipation | 463 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HGTG30N60A4D | Brand | onsemi / Fairchild |
Continuous Collector Current | 75 A | Continuous Collector Current Ic Max | 75 A |
Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA | Height | 20.82 mm |
Length | 15.87 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.82 mm | Part # Aliases | HGTG30N60A4D_NL |
Unit Weight | 0.225401 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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HGTG30N60A4D is a chip that belongs to the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) family. It is specifically designed for high-voltage applications and offers low conduction and switching losses. HGTG30N60A4D chip enables efficient power conversion in various electronic devices, including inverters, motor drives, and power supplies. It provides reliable performance with excellent thermal characteristics, making it suitable for demanding applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the HGTG30N60A4D chip include the IRGPS60B120KDPbF, IGBT30N60A4H, and the HGTP30N60AFD. These chips provide similar functionality and can be used as substitutes for the HGTG30N60A4D in various applications. -
Features
The HGTG30N60A4D is a high voltage IGBT designed for use in switching applications. It has a current rating of 30A, a voltage rating of 600V, and a low saturation voltage. It offers low on-state losses, fast switching speeds, and is suitable for high frequency operation. It also includes built-in thermal protection and is housed in a TO-247 package. -
Pinout
The HGTG30N60A4D is a 30A IGBT power module. It has 7 pins with the following functions: 1. G: Gate control 2. G: Gate control 3. C: Collector of the IGBT 4. E: Emitter of the IGBT 5. F: Collector of the free-wheeling diode 6. F: Collector of the free-wheeling diode 7. E: Emitter of the free-wheeling diode -
Manufacturer
The manufacturer of the HGTG30N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products, including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics. -
Application Field
The HGTG30N60A4D is a high voltage transistor commonly used in various power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its robust design and ability to handle high voltage and current make it suitable for demanding industrial and automotive applications. -
Package
The HGTG30N60A4D chip is available in a TO-247 package type, with a transistor form. As for the size, it follows the industry standard TO-247 dimensions, which measure approximately 26.16mm x 15.9mm x 5.5mm.
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