ON FDT457N
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: ON Semiconductor, LLC
Parte do fabricante #: FDT457N
Ficha de dados: FDT457N Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-223
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3784 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDT457N Descrição geral
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Características
- 5 A, 30 V
RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V - High density cell design for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | FDT457N | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Manufacturer Package Code | 318H-01 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.06 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 3 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 16 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Pin Count | 4 | Package Category | Other |
Released Date | Oct 3, 2022 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
![]() |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDT457N chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that operates as a high-speed switching device. It is commonly used in applications where efficient power management is required, such as in motor control, LED lighting, and power supplies. The chip offers low on-resistance and low gate charge, making it suitable for high-current and high-frequency applications.
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Features
The FDT457N is not a specific product or model that can be identified. It is likely a typo or an incorrect reference. Please provide more information or correct the model number to receive relevant features. -
Pinout
The FDT457N is a N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has three pins including gate, drain, and source. The pin count is 3 and the function of each pin is as follows: 1. Gate: Controls the flow of current through the transistor 2. Drain: Current flows out of the transistor through this pin 3. Source: Current flows into the transistor through this pin. -
Application Field
The FDT457N is commonly used in power electronics applications such as switch-mode power supplies, motor control systems, and industrial automation. It is specifically designed for high-current switching applications and provides efficient power management in various electronic devices. -
Package
The FDT457N chip has a surface mount package type with a form factor of SOT-223. Its size is typically 6.70mm (length) x 6.70mm (width) x 2.30mm (height).
Ficha de dados PDF
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