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ON FDT457N

MOSFET SOT-223 N-CH 30V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: ON Semiconductor, LLC

Parte do fabricante #: FDT457N

Ficha de dados: FDT457N Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: SOT-223

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 3784 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDT457N Descrição geral

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.

fdt457n

Características

  • 5 A, 30 V
    RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V
    RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V
  • High density cell design for extremely low RDS(ON)
  • High power and current handling capability in a widely used surface mount package

Aplicativo

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Source Content uid FDT457N Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Package Code 318H-01 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Samacsys Manufacturer onsemi
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.06 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G4 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 4 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 3 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 16 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Pin Count 4 Package Category Other
Released Date Oct 3, 2022

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The FDT457N chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that operates as a high-speed switching device. It is commonly used in applications where efficient power management is required, such as in motor control, LED lighting, and power supplies. The chip offers low on-resistance and low gate charge, making it suitable for high-current and high-frequency applications.
  • Features

    The FDT457N is not a specific product or model that can be identified. It is likely a typo or an incorrect reference. Please provide more information or correct the model number to receive relevant features.
  • Pinout

    The FDT457N is a N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has three pins including gate, drain, and source. The pin count is 3 and the function of each pin is as follows: 1. Gate: Controls the flow of current through the transistor 2. Drain: Current flows out of the transistor through this pin 3. Source: Current flows into the transistor through this pin.
  • Application Field

    The FDT457N is commonly used in power electronics applications such as switch-mode power supplies, motor control systems, and industrial automation. It is specifically designed for high-current switching applications and provides efficient power management in various electronic devices.
  • Package

    The FDT457N chip has a surface mount package type with a form factor of SOT-223. Its size is typically 6.70mm (length) x 6.70mm (width) x 2.30mm (height).

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar FDT457N PDF Download

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