vishay SI2347DS-T1-GE3
-30V P-MOSFET transistor with unipolar operation and -5A current rating, featuring peak current handling up to -20A and power dissipation of 1
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI2347DS-T1-GE3
Ficha de dados: SI2347DS-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 6000 peças, novo original
Tipo de Produto: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
5 | $0,133 | $0,665 |
50 | $0,117 | $5,850 |
150 | $0,109 | $16,350 |
500 | $0,092 | $46,000 |
3000 | $0,088 | $264,000 |
6000 | $0,085 | $510,000 |
In Stock:6000 PCS
SI2347DS-T1-GE3 Descrição geral
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Características
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 6.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 6 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 1.6 mm |
Part # Aliases | SI2347DS-T1-BE3 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI2347DS-T1-GE3 chip is an electronic component used in various applications. It is a high-performance N-Channel MOSFET that is designed to enhance power efficiency and minimize space requirements. This chip offers low ON-resistance and high-speed switching, making it suitable for use in power management circuits, motor control systems, and other electronic devices that require efficient power handling.
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Equivalent
An equivalent product of the SI2347DS-T1-GE3 chip is the SI2347DS-T1-GE3R chip. -
Features
The features of SI2347DS-T1-GE3 include a low on-resistance, low charge gate, high-speed switching, low capacitance, and N-channel TrenchFET. It is designed to provide efficient power management and secure high-performance in a small package. -
Pinout
The SI2347DS-T1-GE3 is a 47-pin integrated circuit (IC). It functions as an N-MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that enables power management and control in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2347DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that specializes in designing, manufacturing, and supplying a wide range of discrete semiconductors and passive components. They offer innovative solutions for various industries including automotive, industrial, consumer electronics, telecommunications, and more. -
Application Field
The SI2347DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET used primarily in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and voltage regulators. It offers low on-resistance, high current capacity, and fast switching capabilities, making it suitable for various power management systems. -
Package
The SI2347DS-T1-GE3 chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of surface mount, and a size of 5mm x 6mm x 1mm.
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