ON FDG6316P
Dual P-Channel MOSFET Array with 12V Voltage Rating and 0.7A Current Rating
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDG6316P
Ficha de dados: FDG6316P Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-323-6
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2492 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDG6316P Descrição geral
MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
Características
- -0.7 A, -12 V
- RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = -1.8 V
- Low Gate Charge
- High-Performance Trench Technology for Extremelylow RDS(ON)
- Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
Id - Continuous Drain Current | 700 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 270 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 2.4 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDG6316P | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Dual | Fall Time | 13 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.5 S | Height | 1.1 mm |
Length | 2 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 13 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 P-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Width | 1.25 mm | Part # Aliases | FDG6316P_NL |
Unit Weight | 0.000988 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDG6316P chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, motor drives, and lighting applications.
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Pinout
The FDG6316P is a P-channel power MOSFET with a pin count of 6. Its main function is to control the flow of current in a circuit as a switch or amplifier. -
Application Field
The FDG6316P is a power MOSFET commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current switching operations due to its low on-resistance and fast switching characteristics. -
Package
The package type of the FDG6316P chip is SOT-23. The chip has a form factor of surface mount with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm.
Ficha de dados PDF
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