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ON FDG6316P

Dual P-Channel MOSFET Array with 12V Voltage Rating and 0.7A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: FDG6316P

Ficha de dados: FDG6316P Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: SOT-323-6

Tipo de Produto: Transistores

Status RoHS:

Condição de estoque: 2492 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDG6316P Descrição geral

MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

fdg6316p

Características

  • -0.7 A, -12 V
  • RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = -1.8 V
  • Low Gate Charge
  • High-Performance Trench Technology for Extremelylow RDS(ON)
  • Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage

Aplicativo

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-323-6 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Id - Continuous Drain Current 700 mA Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 2.4 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 300 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDG6316P Brand onsemi / Fairchild
Configuration Dual Fall Time 13 ns
Forward Transconductance - Min 2.5 S Height 1.1 mm
Length 2 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 13 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 P-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 8 ns Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Width 1.25 mm Part # Aliases FDG6316P_NL
Unit Weight 0.000988 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The FDG6316P chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, motor drives, and lighting applications.
  • Pinout

    The FDG6316P is a P-channel power MOSFET with a pin count of 6. Its main function is to control the flow of current in a circuit as a switch or amplifier.
  • Application Field

    The FDG6316P is a power MOSFET commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current switching operations due to its low on-resistance and fast switching characteristics.
  • Package

    The package type of the FDG6316P chip is SOT-23. The chip has a form factor of surface mount with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar FDG6316P PDF Download

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