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Pedidos acima de
$5000BSS169H6327XTSA1
SOT-23-3-packaged MOSFET with N-type conductivity, rated for 100 volts and capable of handling currents up to 90 milliamps
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: BSS169H6327XTSA1
Ficha de dados: BSS169H6327XTSA1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.803 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSS169H6327XTSA1 Descrição geral
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 27 / Rise Time ns = 2.7 / Turn-OFF Delay Time ns = 11 / Turn-ON Delay Time ns = 2.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 360
Características
- Advanced power management
- Superior signal-to-noise ratio
- High-reliability construction
Aplicativo
- High efficiency
- Temperature resistant
- Versatile application
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | SIPMOS® | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 68 pF @ 25 V |
| FET Feature | Depletion Mode | Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Base Product Number | BSS169 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSS169H6327XTSA1 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) chip designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power management circuits, motor controls, and voltage regulation systems. The chip offers low on-resistance, high current handling capability, and fast switching speeds, making it ideal for various power electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of the BSS169H6327XTSA1 chip are BSS169, BSS169LT1G, BSS169LT1, BSS169H6327HTSA1, BSS169H6327HTSA2, and BSS169H6327HTSA1. These are all N-channel enhancement mode field-effect transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. Logic level N-channel MOSFET 2. Low threshold voltage of 1V max 3. Low on-state resistance of 1.6 ohms max 4. High continuous drain current of 400mA 5. Low power dissipation 6. Small SOT23 package 7. RoHS compliant -
Pinout
BSS169H6327XTSA1 is a N-channel MOSFET with a SOT23 package. It has 3 pins: gate (G), source (S), and drain (D). The function of BSS169H6327XTSA1 is to switch or amplify electronic signals within a circuit. -
Manufacturer
BSS169H6327XTSA1 is manufactured by Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor manufacturer specializing in automotive, industrial, and power management solutions. Infineon is known for its high-quality products and innovative technology, serving various industries worldwide. -
Application Field
BSS169H6327XTSA1 is a P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) commonly used in low-voltage and low-current switching applications. It is suitable for power management, battery charging, and load switching in portable devices, IoT devices, and other electronics requiring a small footprint and low power consumption. -
Package
The BSS169H6327XTSA1 chip from Infineon Technologies is a surface mount SOT-23 package. It is in the form of a small outline transistor with three leads. The dimensions of the SOT-23 package are approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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