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$5000
BSS138BKW,115
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 260mW (Ta), 830mW (Tc) Surface Mount SOT-323
Marcas: Nexperia USA Inc.
Parte do fabricante #: BSS138BKW,115
Ficha de dados: BSS138BKW,115 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70,SOT-323
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.346 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 5 | $0,077 | $0,385 |
| 50 | $0,063 | $3,150 |
| 150 | $0,056 | $8,400 |
| 500 | $0,051 | $25,500 |
| 3000 | $0,047 | $141,000 |
| 6000 | $0,045 | $270,000 |
Em estoque: 8.346 PCS
BSS138BKW,115 Descrição geral
The BSS138BKW,115 is an N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor designed for high performance in a compact SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) package. Using innovative Trench MOSFET technology, this transistor offers superior efficiency and reliability in various electronic applications. Its small form factor makes it ideal for space-constrained designs where size is a limiting factor
Características
- Outstanding shock resistance
- High-speed data transfer
- Fault tolerance design
- Sustainable manufacturing process
Aplicativo
- Gas sensor driver
- Pressure transducer
- Vibration sensor
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 320mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 320mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 260mW (Ta), 830mW (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grade | Automotive | Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-323 |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Part points
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The BSS138BKW,115 is a small signal general purpose N-channel MOSFET transistor. It is commonly used in applications such as switching circuits, amplifiers, and voltage regulation. The transistor has a low threshold voltage and high switching speed, making it suitable for a variety of electronic projects.
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Equivalent
Some equivalent products of BSS138BKW,115 chip are BSS138K,115 and BSS138LT1G,115. These chips are all N-channel small signal MOSFETs commonly used in a variety of electronic applications. -
Features
The BSS138BKW,115 is a Small Signal N-Channel MOSFET transistor with a Vdss of 60V, Id of 200mA, Rds(on) of 3.5 Ohms, and a low threshold voltage of 0.7V. It is designed for use in low power applications where space is limited. -
Pinout
The BSS138BKW,115 is a dual P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a SOT-323 package. It has 3 pins: gate (pin 1), source (pin 2), and drain (pin 3). Pin 2 is connected to the source terminal internally. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSS138BKW,115 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch-American semiconductor manufacturing company that specializes in producing a wide range of products for the automotive, industrial, consumer, and communication sectors. -
Application Field
The BSS138BKW,115 is a logic level N-channel MOSFET with a low threshold voltage, making it suitable for use in low voltage applications such as level shifting, signal amplification, and power management in portable electronics, battery-operated devices, and other low power circuit applications. -
Package
The BSS138BKW,115 chip comes in a SOT363 package type. It is in a dual N-channel enhancement mode MOSFET configuration, specifically designed for low voltage and low current applications. The size of the chip is typically 2.1mm x 1.5mm.
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