Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto

BSM200GD60DLC

Name: BSM200GD60DLC
Rating: 4.5 (10 reviews)

39 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel, 226A I(C), 600V V(BR)CES, ECONO"

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: BSM200GD60DLC

Ficha de dados: BSM200GD60DLC Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: EconoPACK 3A

Status RoHS:

Condição de estoque: 6572 peças, novo original

Tipo de Produto: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade	Preço unitário	Preço Externo
1	$293,805	$293,805
30	$281,890	$8456,700

In Stock:6572 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para BSM200GD60DLC ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

Quantidade^*

E-mail^*

Nome de contato^*

Empresa

Observação

BSM200GD60DLC Descrição geral

BSM200GD60DLC is a dual IGBT module developed by Infineon Technologies AG. It is optimized for industrial applications with high power requirements. The module features a half-bridge topology with a current rating of 200A and a voltage rating of 600V. BSM200GD60DLC is designed to operate at a wide temperature range, making it suitable for various industrial environments. It is equipped with a high-performance IGBT chip that ensures efficiency and reliability. The module also includes integrated freewheeling diodes, allowing for simpler circuit designs and reducing overall system costs.This module is compact and lightweight, making it easy to integrate into existing systems. It also features high power density, enabling it to deliver high power output in a small footprint. The BSM200GD60DLC is equipped with advanced protection features, such as overcurrent and overtemperature protection, ensuring the safety and longevity of the module.

Características

High power module with 600V / 200A rating
Designed for industrial applications
Half-bridge configuration
Low thermal resistance
Low switching losses
Integrated gate driver with under-voltage protection
Soft punching IGBT technology
Optimized for high efficiency and reliability

Aplicativo

Wind turbines
Solar power inverters
Industrial drives
Uninterruptible power supplies (UPS)
Electric vehicles
Renewable energy systems
Power factor correction
Motor control
Electric grid stabilization
Energy storage systems

Especificações

Parâmetro	Valor	Parâmetro	Valor
Product Category	IGBT Modules	RoHS	N
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.45 V
Continuous Collector Current at 25 C	226 A	Gate-Emitter Leakage Current	400 nA
Pd - Power Dissipation	700 W	Package / Case	EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Brand	Infineon Technologies	Height	17 mm
Length	122 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	62 mm
Part # Aliases	SP000100395 BSM200GD60DLCBOSA1

Envio

	Taxa de envio	Tempo de espera
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento		Taxa de mão
	Transferência bancária	cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
	PayPal	cobrar taxa de serviço de 4,0%.
	Cartão de crédito	cobrar taxa de serviço de 3,5%.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Grama de dinheiro	cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

Etapa1 :produtos
Etapa2 :Embalagem a vácuo
Etapa3 :Saco antiestático
Etapa4 :Embalagem individual
Etapa5 :Caixas de embalagem
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

Part points

The BSM200GD60DLC chip is an IGBT module designed for high power applications such as motor drives and inverters. It has a maximum voltage rating of 600V and a current rating of 200A. The chip features low on-state voltage drop, high short circuit capability, and fast switching speed. It also incorporates advanced thermal design and protection features for efficient and reliable operation.
Equivalent

The equivalent products of the BSM200GD60DLC chip are the BSM200GD60DLCK and the BSM200GD60DLCP, which are also IGBT modules.
Features

The main features of BSM200GD60DLC are dual IGBT modules, with a current rating of 200A and a voltage rating of 600V. It has low saturation voltage and low switching loss, making it suitable for various power electronic applications such as motor drives, inverters, and UPS systems.
Pinout

The BSM200GD60DLC is a dual IGBT module with a pin count of 19. Its main function is to control the power flow between a high-voltage DC bus and a three-phase motor. The module is commonly used in applications such as electric vehicles, industrial drives, and renewable energy systems.
Manufacturer

The manufacturer of the BSM200GD60DLC is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors and system solutions for various industries, including automotive, industrial, and renewable energy.
Application Field

The BSM200GD60DLC is a module designed for a wide range of applications such as motor control in industrial automation, robotics, power supplies, solar inverters, and renewable energy systems. Its high power density, low thermal resistance, and high current capability make it suitable for demanding applications that require efficient and reliable power conversion.
Package

The BSM200GD60DLC chip has a package type of module, a form of six-pack, and a size of compact.

BSP52T1G

onsemi

BSM30GP60

Infineon

BSS52

Tt Electronics

BSC060P03NS3E G

Infineon Technologies

BSP19AT1G

onsemi

BST52TA

Diodes Incorporated

BSR12,215

NXP USA Inc.

BSP16T1G

onsemi

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações

Por favor, avalie o produto!

Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

MJE5731AG

Onsemi

The MJE5731AG is a PNP transistor suitable for gen...
MJF18008G

Onsemi

8A 450V 45W NPN Bipolar Transistors
MJ15004G

Onsemi

The MJ15003 and MJ15004 serve as power transistors...
MJ21195G

Onsemi

ROHS compliant TO-204AA transistors with 250V volt...
MJ21196G

Onsemi

Bipolar NPN Transistor, 250V, 16A
PD55015-E

STMicroelectronics, Inc

RF Mosfet 12.5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W PowerSO-10...