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SI7288DP-T1-GE3
Transistor with Dual N-Channel configuration, 40V Source Voltage, and capable of handling 20A Continuous Drain Current
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI7288DP-T1-GE3
Ficha de dados: SI7288DP-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK-SO-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.039 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,891 | $0,891 |
| 10 | $0,814 | $8,140 |
| 30 | $0,771 | $23,130 |
| 100 | $0,721 | $72,100 |
| 500 | $0,582 | $291,000 |
| 1000 | $0,573 | $573,000 |
Em estoque: 5.039 PCS
SI7288DP-T1-GE3 Descrição geral
The SI7288DP-T1-GE3 MOSFET transistor provides design engineers with a versatile and dependable solution for their circuitry needs. Its exceptional performance characteristics, combined with the convenience of Tape & Reel packaging, make it a valuable component for various electronic devices and equipment. With its PowerPAK® SO-8 Dual package type and N-Channel configuration, this transistor offers flexibility and efficiency in power management applications. Trust the SI7288DP-T1-GE3 to deliver consistent and reliable performance in your next design project
Características
- Pulse-width modulation enabled
- Soft-start circuitry integrated
- Thermal shutdown protection
Aplicativo
Backlight Inverter for LCD Displays |DC/DC Converter D1 D2Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V | Id - Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 19 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 15.6 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
| Fall Time | 8 ns | Forward Transconductance - Min | 39 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 8 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Part # Aliases | SI7288DP-GE3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI7288DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET chip designed for highside load switching in a variety of power management applications. It features a low on-resistance, high current capability, and low gate threshold voltage, making it ideal for efficient power control in portable devices, telecom equipment, and other industrial applications.
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Equivalent
Some equivalent products of SI7288DP-T1-GE3 chip are D70333GJ-10, AON7430, and IRFD9110. These chips have similar specifications and can be used as substitutes for the SI7288DP-T1-GE3 in various electronic applications. -
Features
SI7288DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET power switch with a low ON-resistance and high current carrying capability (7.6A). It has an integrated Schottky diode for reverse battery protection and a built-in gate driver for ease of use. The device also features thermal shutdown and overcurrent protection for added reliability. -
Pinout
SI7288DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. It is typically used for power management in portable devices due to its low on-resistance and low voltage drop. The device functions as a power switch, enabling efficient battery charging and power distribution in a compact package. -
Manufacturer
The manufacturer of SI7288DP-T1-GE3 is Vishay, a multinational company specializing in the design and manufacturing of electronic components. Vishay produces a wide range of products, including discrete semiconductors, optoelectronics, resistors, capacitors, and sensors, catering to various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
SI7288DP-T1-GE3 is commonly used in applications such as LED drivers, power supplies, and voltage regulators. It can also be utilized in industrial automation, automotive electronics, and consumer electronics due to its high efficiency and low on-resistance characteristics. -
Package
The SI7288DP-T1-GE3 chip is a dual P-channel MOSFET in a PowerPAK SO-8 package. It is in a surface-mount form with a size of 5 mm x 6 mm.
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