Pedidos acima de
$5000SI3493DDV-T1-GE3
20 Volt Power MOSFET
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Marcas: Vishay Siliconix
Parte do fabricante #: SI3493DDV-T1-GE3
Ficha de dados: SI3493DDV-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TSOP-6
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.182 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI3493DDV-T1-GE3 Descrição geral
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Características
- Exceptional temperature tolerance
- Low noise operation
- Improved electromagnetic compatibility (EMC)
- Limited to no radiation interference
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1825 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-TSOP |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI3493DDV-T1-GE3 is a power amplifier chip designed for use in RF applications. It operates at a frequency range of 1700MHz to 2200MHz, making it suitable for wireless communication systems. The chip features high efficiency and linearity, making it ideal for applications requiring high RF performance.
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Equivalent
Some equivalent products of SI3493DDV-T1-GE3 chip are Vishay Siliconix Si3493DV-T1-GE3, ON Semiconductor NDS3493A, and Diodes Inc. DMT3023LSS-13. They are all power MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- P-channel MOSFET transistor with low on-resistance - Low gate threshold voltage for easy control - Small form factor with DFN package - RoHS compliant for environmental friendliness - Gate-source voltage of +/-8V for flexibility in operation -
Pinout
The SI3493DDV-T1-GE3 has a pin count of 8 and functions as a dual N-channel TrenchFET power MOSFET. It is commonly used in power management applications to regulate and control power flow in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of SI3493DDV-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading company in the design and production of a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components for industrial, automotive, consumer, and telecommunications markets. They are known for their high-quality and innovative solutions in the semiconductor industry. -
Application Field
SI3493DDV-T1-GE3 is a P-channel enhancement mode MOSFET transistor designed for use in power management applications such as load switching and battery protection circuits. It can also be used in voltage regulation and DC-DC converter circuits. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for various portable and battery-powered devices. -
Package
The SI3493DDV-T1-GE3 chip is available in a DFN-6 package type, with a form of tape and reel. It has a size of 2mm x 2mm x 0.55mm.
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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