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Pedidos acima de
$5000SI2356DS-T1-GE3
Transistor MOSFET for N-channel operation
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI2356DS-T1-GE3
Ficha de dados: SI2356DS-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.674 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2356DS-T1-GE3 Descrição geral
Introducing the SI2356DS-T1-GE3, a high-quality N-Channel MOSFET transistor that can handle a continuous drain current of 4.3A and a drain-source voltage of 40V. With an incredibly low on-resistance of 0.042ohm at a test voltage of 10V, this transistor offers superior efficiency and performance for your circuit designs. Its threshold voltage of 1.5V ensures accurate and reliable operation, making it an excellent choice for a wide range of high-power electronic applications
Características
Aplicativo
DC/DC Converter |Load Switch |LED Backlighting |Power ManagementEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 51 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 3.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 6 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2356DS-T1-BE3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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SI2356DS-T1-GE3 is an advanced power MOSFET chip developed by Vishay Siliconix. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for various applications in power management and conversion systems. The chip is designed to improve efficiency and reduce power losses, enabling enhanced performance and compact device designs.
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Features
SI2356DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor with a compact industry-standard SOT-23 package. It has a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 3A, and low on-resistance. It is suitable for low-power switching applications, offering reliable performance, compact size, and ease of use. -
Pinout
The SI2356DS-T1-GE3 is a dual P-channel enhancement-mode transistor. It has a pin count of 6 pins. The function of this transistor is to control the flow of electrical current between the source and drain terminals, allowing for switching and amplification of electrical signals. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2356DS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in the production and supply of discrete semiconductors and passive electronic components. It is a global leader in the industry, providing innovative solutions to a wide range of sectors, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial equipment. -
Application Field
The SI2356DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor. It can be used in a variety of applications, such as power management, battery charging, load switching, and DC-DC converters. Its compact size and low on-resistance make it suitable for portable devices, automotive systems, and other small-scale electronics. -
Package
The SI2356DS-T1-GE3 chip has a package type of TSOP-6, a form of Surface Mount, and a size of 2.9mm x 1.6mm.
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