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ON NTMFS4C302NT1G
MOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
Marcas: ON Semiconductor, LLC
Parte do fabricante #: NTMFS4C302NT1G
Ficha de dados: NTMFS4C302NT1G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SO-FL EP
Status RoHS:
Condição de estoque: 2871 peças, novo original
Tipo de Produto: Transistores
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,972 | $0,972 |
| 10 | $0,773 | $7,730 |
| 30 | $0,663 | $19,890 |
| 100 | $0,540 | $54,000 |
| 500 | $0,420 | $210,000 |
| 1500 | $0,394 | $591,000 |
In Stock:2871 PCS
NTMFS4C302NT1G Descrição geral
The NTMFS4C302N is a Single N-Channel Power MOSFET with a small footprint that is perfect for compact designs.
Características
- Small Footprint (5 x 6 mm)
- Low RDS(on)
- Low QG and Capacitance
- RoHS Compliant
Aplicativo
- This product is general usage and suitable for many different applications
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SO-8FL-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 82 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Reel |
| Brand: | ON Semiconductor | Forward Transconductance - Min: | 135 S |
| Fall Time: | 11 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 19 ns | Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Tags | NTMFS4C3, NTMFS4C, NTMFS4, NTMFS, NTMF, NTM |
| Source Content uid | NTMFS4C302NT1G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 488AA | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 66 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | Avalanche Energy Rating (Eas) | 186 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 41 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0017 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F5 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 5 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 96 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 388 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET chip designed for fast switching applications in power management circuits. It offers a low ON-resistance and low gate charge, resulting in improved efficiency and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops, to enhance power conversion and control capabilities.
-
Features
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET that offers a low on-resistance and fast switching capability. It is capable of handling high current levels while maintaining low power dissipation. The device is designed for various applications, including power management and conversion circuits, such as voltage regulator modules, DC-DC converters, and synchronous rectification. -
Pinout
The NTMFS4C302NT1G is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications and has a maximum drain current of 72A. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTMFS4C302NT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that develops and manufactures a wide range of integrated circuits and discrete devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NTMFS4C302NT1G is a high-performance power MOSFET that can be used in various applications, including power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switches. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for applications that require reliable power management and control. -
Package
The NTMFS4C302NT1G chip has a package type of DFN (Dual Flat No-Lead), form of SON (Small Outline No-Lead), and size of 3mm x 3mm.
Ficha de dados PDF
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