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ON NTZD3155CT2G
Unipolar N/P-MOSFET transistor: Exhibiting complementary pair behavior, designed for operation within a voltage spectrum of 20 volts to -20 volts
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: NTZD3155CT2G
Ficha de dados: NTZD3155CT2G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: SOT-563
Status RoHS:
Condição de estoque: 3273 peças, novo original
Tipo de Produto: Transistores
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,369 | $0,369 |
| 10 | $0,249 | $2,490 |
| 30 | $0,188 | $5,640 |
| 100 | $0,130 | $13,000 |
| 500 | $0,093 | $46,500 |
| 1000 | $0,074 | $74,000 |
In Stock:3273 PCS
NTZD3155CT2G Descrição geral
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Características
- Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
- High Efficiency System Performance
- Low Threshold Voltage
- ESD Protected Gate
- Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
- RoHS Compliant
Aplicativo
- DC-DC Conversion Circuits
- Load/Power Switching with Level Shift
- Single or Dual Cell Li-Ion Battery Operated Systems
- High Speed Circuits
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-563 | Case Outline | 463A-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 4000 |
| ON Target | N | Channel Polarity | Complementary |
| Configuration | Dual | V(BR)DSS Min (V) | ±20 |
| VGS Max (V) | 6 | VGS(th) Max (V) | 1 |
| ID Max (A) | 0.54 | PD Max (W) | 0.25 |
| RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | N: 500.00, P: 600.00 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | N:400.00, P: 500.00 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 0.7 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 1.5 |
| Ciss Typ (pF) | N: 80, P: 105 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The NTZD3155CT2G chip is a dual N-channel enhancement mode MOSFET transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for power management and load switching applications in portable devices, USB hubs, and battery chargers. With a low on-resistance and compact surface mount package, it provides efficient switching performance and helps in reducing power losses and improving overall system reliability.
-
Equivalent
There aren't any specific equivalent products for the NTZD3155CT2G chip. However, one could look for alternative N-channel enhancement mode MOSFETs with similar specifications and characteristics as the NTZD3155CT2G chip to suit their specific needs. -
Features
NTZD3155CT2G is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for low voltage applications. It has a voltage rating of 20V and a continuous drain current of 3A. The transistor features low on-resistance, high speed switching capabilities, and is suitable for use in battery charger, power management, and load switching applications. -
Pinout
The NTZD3155CT2G is a dual N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTZD3155CT2G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and sells a range of semiconductor components and devices for various applications, including power management, analog, and sensor products. -
Application Field
The NTZD3155CT2G is a dual N-channel MOSFET transistor commonly used in switch-mode power supplies, battery chargers, and other power management applications. It is suitable for low voltage and high-frequency operation, making it ideal for portable and compact devices. -
Package
The NTZD3155CT2G chip is available in a DFN (Dual Flat No-Lead) package, with a form of 3.3mm x 3.3mm and a size of 10mm².
Ficha de dados PDF
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