ON NTHD4102PT1G
High Current Handling - With a maximum current rating of 4.1A, it efficiently handles moderate to high power loads
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: NTHD4102PT1G
Ficha de dados: NTHD4102PT1G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: ChipFET-8
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3311 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaNTHD4102PT1G Descrição geral
P Channel Mosfet, -20V, 1206A, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:2.9A; Continuous Drain Current Id P Channel:2.9A Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTHD4102PT1G
Características
- Offers an Ultra Low RDS(ON) Solution in the ChipFET™ Package
- Miniature ChipFet Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6
- Low Profile (<1.1mm) Allows it to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
- Simplifies Circuit Designs since Additional Boost Circuits for Gate Voltages are not Required
- Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels using the same Basic Topology
Aplicativo
- Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
- Charge Control in Battery Chargers
- Buck and Boost Converters
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | ChipFET-8 | Case Outline | 1206A-03 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
ON Target | Y | Channel Polarity | P-Channel |
Configuration | Dual | V(BR)DSS Min (V) | -20 |
VGS Max (V) | 8 | VGS(th) Max (V) | 1.5 |
ID Max (A) | 2.9 | PD Max (W) | 1.1 |
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | Q1=Q2=84 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | Q1=Q2=64 |
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 2.6 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 7.6 |
Ciss Typ (pF) | 750 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The NTHD4102PT1G chip is a high-speed power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It provides efficient switching and low on-resistance to minimize power losses. This chip is commonly used in electronic devices and power management systems to regulate and control power flow.
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Equivalent
Some equivalent products of the NTHD4102PT1G chip include the DMN10H170SEH, RFD16N06L, and NTB52N10L. These chips are all power MOSFETs designed for various applications and have similar features such as high voltage and current ratings. -
Features
NTHD4102PT1G is an N-channel power MOSFET with a low on-resistance, suitable for efficient switching applications. It has a voltage rating of 30 V and a continuous drain current of 5.2 A. The device is housed in a small SOT-223 package, offering low thermal resistance and space-saving design for compact applications. -
Pinout
The NTHD4102PT1G is a 6-pin, dual N-channel enhancement-mode MOSFET. Its functions include providing high switching speeds, low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTHD4102PT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor and electronics company. They design, manufacture, and distribute a wide range of semiconductor components, including integrated circuits, diodes, transistors, and sensors. -
Application Field
The NTHD4102PT1G is a high-speed switching transistor primarily used in power management applications, such as DC-DC converters, LED backlighting, and motor control. It is commonly used in portable devices, automotive electronics, and industrial equipment where high efficiency and reliability are essential. -
Package
The NTHD4102PT1G chip is available in a surface mount SOT-23 package. It has a small form factor, with dimensions of approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
Ficha de dados PDF
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