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MJD127T4G
Compact TODPAK) package ensures efficient space utilizatio
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Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MJD127T4G
Ficha de dados: MJD127T4G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: DPAK-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $0,569 | $0,569 |
10 | $0,464 | $4,640 |
30 | $0,411 | $12,330 |
100 | $0,359 | $35,900 |
500 | $0,328 | $164,000 |
1000 | $0,312 | $312,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
MJD127T4G Descrição geral
The MJD127T4G is a PNP transistor with a surface mount mounting and 3 pins. It has a maximum operating temperature of 150°C and a collector emitter voltage of 100V. With a continuous collector current of 8A, this transistor is RoHS compliant, ensuring it meets environmental standards. The product falls within a certain range and has also been qualified for use in various applications
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Características
- AEC-Q101 Qualified for Automotive and Other Applications
- High Current Gain hFE = 2,000 (Typ) @ IC = 3 Adc
- PbFree Packages Available for RoHS Compliance and Lead-Free Soldering
- Monolithic Construction Simplifies PCB Design and Reduces Component Count
- Tape and Reel Packaging Available for High Volume Production and Automation
- EIA-481 Qualified for High Reliability and Performance
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | DPAK-3 | Case Outline | 369C |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
ON Target | N | Polarity | PNP |
IC Continuous (A) | 8 | V(BR)CEO Min (V) | 100 |
VCE(sat) Max (V) | 2 | hFE Min (k) | 1 |
hFE Max (k) | 12 | fT Min (MHz) | 4 |
Pricing ($/Unit) | $0.2703Sample |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MJD127T4G is a voltage-controlled bipolar junction transistor (V-C-BJT) designed for low power applications. It features high current capability, low saturation voltage, and fast switching speeds. This chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, industrial controls, and automotive applications, where efficient power amplification and switching functions are required.
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Equivalent
Equivalent products of the MJD127T4G chip include the MJD127G, the MJD127T4 and the MJD127TR. These chips are all NPN Darlington transistors with similar specifications and can be used as alternatives to the MJD127T4G. -
Features
The MJD127T4G is a high voltage NPN transistor with a current rating of 1.5A. It has a voltage rating of 100V and a power dissipation of 625mW. This transistor features a high hFE gain, fast switching speed, and low collector-emitter saturation voltage, making it suitable for various applications such as power amplification and switching. -
Pinout
The MJD127T4G is a NPN Darlington transistor with a SOT-223 package. It has a pin count of 4. The pins are labeled as follows: Pin 1 (Base 2), Pin 2 (Collector), Pin 3 (Emitter 2), and Pin 4 (Emitter 1). The transistor is commonly used for amplification and switching applications in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJD127T4G is ON Semiconductor. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor-based products for various industries, including automotive, communications, industrial, medical, and consumer electronics. -
Application Field
The MJD127T4G is a high voltage Bipolar Junction Transistor (BJT) used in common emitter switching applications. Its main application areas include motor control circuits, power management, and general-purpose switching. It is designed to handle high currents and high voltages, making it suitable for various electronic devices and power systems. -
Package
The MJD127T4G chip is a Darlington NPN transistor available in a SOT-223 package with three pins. The package dimensions are approximately 6.70mm x 6.30mm x 2.30mm.
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