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MJ11030
These Bipolar Power Darlington Transistors are designed for use as output devices in a variety of amplifier applications
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MJ11030
Ficha de dados: MJ11030 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-204-2 (TO-3)
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $8,011 | $8,011 |
10 | $7,266 | $72,660 |
25 | $6,812 | $170,300 |
100 | $6,430 | $643,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
MJ11030 Descrição geral
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
![](/files/uploads/product/b/095e3b8b11284787bf2082b3e06605bd.webp)
Características
- High Current Handling
- Low Input Resistance
- Pulse Width Modulation
- Rapid Saturation Time
- Silicon Carbide Material
- Fault Detection Algorithm
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | Darlington Transistors | Configuration | Single |
Transistor Polarity | NPN | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 90 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector- Base Voltage VCBO | 90 V |
Maximum DC Collector Current | 50 A | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-204-2 (TO-3) | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | onsemi |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 400, 1000 | Height | 8.51 mm |
Length | 38.86 mm | Product Type | Darlington Transistors |
Subcategory | Transistors |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Part points
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The MJ11030 is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for power amplifier and switching applications. It can handle high current and voltage levels, making it suitable for power control in various electronic devices and systems. With its robust construction and high reliability, the MJ11030 is commonly used in industrial and automotive applications where efficient power handling is crucial.
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Equivalent
The MJ11030 chip's equivalents include the 2N6547, BUW51A, and BUW51B. These alternatives offer similar performance characteristics and can be used interchangeably in many applications requiring a power transistor with comparable specifications. -
Features
The MJ11030 is a high-power NPN bipolar junction transistor designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage rating of 120V, a collector current of 30A, and a power dissipation of 200W. The transistor is housed in a TO-3 package, providing robustness and efficient heat dissipation. -
Pinout
The MJ11030 is a power transistor with a TO-3 package, typically used in high-power applications. It has three pins: Base, Collector, and Emitter. The Base pin controls the flow of current between the Collector and Emitter. It's commonly employed in audio amplifiers and power supplies. -
Manufacturer
The MJ11030 is manufactured by ON Semiconductor, an American semiconductor supplier headquartered in Phoenix, Arizona. ON Semiconductor produces a wide range of power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The MJ11030 is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in applications requiring high voltage and high current. It finds use in power supplies, motor control, audio amplifiers, and high-power switching circuits due to its capability to handle large currents and voltages. -
Package
The MJ11030 chip is a TO-3 package type power transistor, with dimensions of 29.5mm x 22.5mm x 10.0mm. It is a through-hole component with a maximum power dissipation of 200 watts and a collector current of 80 amperes.
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