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MJE210G
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: MJE210G
Ficha de dados: MJE210G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-225-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,534 | $0,534 |
| 10 | $0,442 | $4,420 |
| 30 | $0,398 | $11,940 |
| 100 | $0,354 | $35,400 |
| 500 | $0,327 | $163,500 |
| 1000 | $0,312 | $312,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
MJE210G Descrição geral
With a focus on precision engineering and high-quality materials, this transistor offers superior performance and longevity. Its compact size and easy installation make it perfect for DIY projects or commercial applications. The MJE210G sets a new standard for power transistors in the audio industry, delivering unrivaled performance and value
Características
- Piezoelectric Material - Ceramic Type
- Operating Temperature Range -40°C to +125°C
- Low Distortion - Low Noise Performance
- Fine Pitch Lead Frame for Small Size
- RoHS Compliant Packaging Available
- Surface Mountable for Easy Assembly
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Details | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-225-3 | Transistor Polarity: | PNP |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 8 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V | Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W | Gain Bandwidth Product fT: | 65 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MJE210 | Packaging: | Bulk |
| Brand: | onsemi | Continuous Collector Current: | 5 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 | Height: | 11.04 mm |
| Length: | 7.74 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si | Width: | 2.66 mm |
| Unit Weight: | 0.023986 oz | Package | Bulk |
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V | Power - Max | 15 W |
| Frequency - Transition | 65MHz | Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Supplier Device Package | TO-126 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
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| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MJE210G is a transistor chip used for high-voltage, high-current switching applications. It is an NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching purposes. The chip offers a collector current of 4A and a collector-emitter voltage of 40V. With its robust design and high-performance characteristics, the MJE210G chip is commonly used in power supply circuits, motor control, and other industrial applications.
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Equivalent
There are several equivalent products to the MJE210G chip, including MJE210GR, MJE210GRL, and MJE210GRL1G. These are all NPN silicon transistors primarily used in general-purpose amplifier and switching applications. -
Features
The MJE210G is a transistor with a PNP bipolar junction configuration. It has a collector current capability of 2A, a collector-base voltage of -40V, and a power dissipation of 20W. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. -
Pinout
The MJE210G is a bipolar junction transistor with a pin count of 3. Its pins are labeled as Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The Collector terminal collects current, the Base terminal controls the current flow, and the Emitter terminal emits the current. -
Manufacturer
The MJE210G transistor is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that specializes in power management, sensor, and connectivity solutions. It designs and produces a wide range of products used in various industries, including automotive, industrial, computing, consumer, and aerospace. -
Application Field
The MJE210G is a bipolar power transistor typically used for switching and amplification, making it suitable for applications in audio amplifiers, power supplies, motor control, and other electronic devices requiring high power. -
Package
The MJE210G chip is a transistor that comes in a TO-225AA package form. The package dimensions are approximately 4.8mm x 4.6mm x 9.4mm.
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