Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto

Infineon IPD25N06S4L-30

Name: IPD25N06S4L-30
Rating: 4.5 (10 reviews)

DPAK Packaged N-Channel MOSFET with 2+Tab Configuration

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: IPD25N06S4L-30

Ficha de dados: IPD25N06S4L-30 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: DPAK (PG-TO252-3)

Status RoHS:

Condição de estoque: 3502 peças, novo original

Tipo de Produto: Transistores

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade	Preço unitário	Preço Externo
1	$1,048	$1,048
10	$0,899	$8,990
30	$0,818	$24,540
100	$0,724	$72,400
500	$0,685	$342,500
1000	$0,666	$666,000

In Stock:3502 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IPD25N06S4L-30 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

Quantidade^*

E-mail^*

Nome de contato^*

Empresa

Observação

IPD25N06S4L-30 Descrição geral

The IPD25N06S4L-30 is a Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high power applications. It has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current of 25A. The device has a low on-state resistance of 0.025 ohms, which helps to minimize power dissipation and increase efficiency in power electronics applications.The IPD25N06S4L-30 is built using a TrenchFET Gen IV technology, which offers improved performance in terms of efficiency, reliability, and thermal management. It also features a low gate charge, which allows for fast switching and reduced power losses.This MOSFET is housed in a TO-252 package, which provides excellent thermal conductivity and easy mounting on a printed circuit board. It is designed to operate in a wide temperature range from -55°C to 175°C, making it suitable for a variety of industrial and automotive applications.

Características

25A, 60V Power MOSFET
Low on-resistance
Thermal resistance of 30°C/W
High-speed switching
Low gate charge
Avalanche energy rated
Robust and reliable design
TO-252 package
Designed for high power applications
Suitable for use in motor control, power supplies, and inverters

Aplicativo

Electric vehicles
Solar power systems
Uninterruptible power supplies
Industrial motor drives
Power tools
Telecommunication equipment

Especificações

Parâmetro	Valor	Parâmetro	Valor
IDpuls max	92.0 A	RthJC max	5.1 K/W
Ptot max	29.0 W	Qualification	Automotive
Package	DPAK (PG-TO252-3)	VDS max	60.0 V
RDS (on) max	30.0 mΩ	VGS(th) max	2.0 V
QG max	12.5 nC	Polarity	N
ID max	25.0 A	Technology	OptiMOS™-T2
VGS(th) min	1.2 V	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

Envio

	Taxa de envio	Tempo de espera
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento		Taxa de mão
	Transferência bancária	cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
	PayPal	cobrar taxa de serviço de 4,0%.
	Cartão de crédito	cobrar taxa de serviço de 3,5%.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Grama de dinheiro	cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

Etapa1 :produtos
Etapa2 :Embalagem a vácuo
Etapa3 :Saco antiestático
Etapa4 :Embalagem individual
Etapa5 :Caixas de embalagem
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

Part points

The IPD25N06S4L-30 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in electronic devices. It features a low on-resistance and high power handling capability, making it suitable for applications that require high efficiency and reliability. The chip operates at a voltage of 30 volts and can handle a current of up to 25 amperes, making it ideal for power management purposes.
Equivalent

There are numerous equivalent products to the IPD25N06S4L-30 chip, including IRF540N, IRF540NPBF, IRF540NL, IRF540NLPBF, and IPD90N03S4L-05.
Features

The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a maximum drain current of 25A, a drain-source voltage rating of 60V, and a low on-resistance of 0.026 ohms. It offers fast switching speed, low gate charge, and is suitable for various types of power applications requiring high performance and reliability.
Pinout

The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a pin count of 3. It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, enabling power control.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPD25N06S4L-30. It is a multinational semiconductor company based in Germany.
Application Field

The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET that can be used in various applications, including motor control, power supplies, and lighting applications. Its high voltage and current ratings make it suitable for industrial and automotive applications. It offers low on-resistance and excellent switching performance, making it an ideal choice for high-power applications.
Package

The IPD25N06S4L-30 chip comes in a D2PAK package.

IPP60R180C7

Infineon

IPD042P03L3 G

Infineon

IPB015N08N5ATMA1

Infineon

IPB017N10N5LFATMA1

Infineon

IPB033N10N5LFATMA1

Infineon

IPB180N03S4L-H0

infineon

IPA60R190P6

infineon

IPA60R180P7S

INFINEON

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações

Por favor, avalie o produto!

Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

BSZ146N10LS5ATMA1

Infineon Technologies Corporation

Power Field-Effect Transistor,
BSZ096N10LS5ATMA1

Infineon Technologies Corporation

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
IRFB4410ZPBF

Infineon

IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...
BSC070N10NS5ATMA1

Infineon Technologies Corporation

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R
ISC060N10NM6ATMA1

Infineon Technologies Corporation

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
IRFH5010TRPBF

Infineon Technologies Corporation

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...