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HGTG30N60B3D
Compact design allows for efficient heat dissipation in high-reliability system
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: HGTG30N60B3D
Ficha de dados: HGTG30N60B3D Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.103 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $5,636 | $5,636 |
200 | $2,181 | $436,200 |
450 | $2,105 | $947,250 |
900 | $2,068 | $1861,200 |
Em estoque: 5.103 PCS
HGTG30N60B3D Descrição geral
Power electronics engineers looking for a robust and reliable IGBT transistor need look no further than the HGTG30N60B3D. With a rugged design capable of handling a collector current of 60A and a low collector emitter saturation voltage of 1.9V, this transistor is ideal for high-power applications. The TO-247 case style ensures efficient heat dissipation, enabling a power dissipation rating of 208W. Additionally, the 600V collector emitter voltage rating provides a high level of voltage tolerance, making the HGTG30N60B3D suitable for a wide range of applications. With its 3-pin configuration, installation and circuit design are made simple, offering convenience and versatility to engineers working on power electronic projects
Características
- Fast Recovery Time: 50ns at TJ = 150°C
- High Surge Capability
- Isolation Voltage: 2500VDC min.
- Low Leakage Current
- High Temperature Range Operation
- Easy to Handle, Robust Construction
Aplicativo
- Telecommunications
- Healthcare
- Retail
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.45 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 60 A | Pd - Power Dissipation | 208 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HGTG30N60B3D | Brand | onsemi / Fairchild |
Continuous Collector Current | 60 A | Continuous Collector Current Ic Max | 60 A |
Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA | Height | 20.82 mm |
Length | 15.87 mm | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.82 mm | Part # Aliases | HGTG30N60B3D_NL |
Unit Weight | 0.225401 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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