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HGTG20N50C1D
IGBT Transistor Chip, N-type Channel, 500 Volts, 26 Amperes, TO-247 Package
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Harris Corporation
Parte do fabricante #: HGTG20N50C1D
Ficha de dados: HGTG20N50C1D Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.401 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $20,325 | $20,325 |
200 | $7,866 | $1573,200 |
500 | $7,589 | $3794,500 |
1000 | $7,453 | $7453,000 |
Em estoque: 6.401 PCS
HGTG20N50C1D Descrição geral
Encased in a TO-247 package, the HGTG20N50C1D delivers excellent thermal performance and is easy to mount in various setups. Thanks to its compact design and durable construction, this MOSFET is a top choice for inverters, motor drives, power supplies, and other high-power scenarios where reliability and performance are non-negotiable. The HGTG20N50C1D stands out as a versatile and reliable solution for engineers seeking to optimize power management systems with advanced technologies and robust components. Its exceptional capabilities make it a standout choice for demanding applications where efficiency and precision are paramount
Características
- Low standby current
- High surge immunity
- Compact size and light weight
- Durable construction used
Aplicativo
- Lighting controls
- Audio amplifiers
- PV inverters
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Packaging | Bulk | Part Status | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 26 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 35 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |
Power - Max | 75 W | Input Type | Standard |
Gate Charge | 33 nC | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The HGTG20N50C1D chip is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It has a voltage rating of 500V and can handle a maximum current of 20A. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic systems.
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Equivalent
Some equivalent products of HGTG20N50C1D chip are IRG4PC50W, STGW30NC60WD, and IXFN55N60. These are all Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with similar specifications and performance characteristics suitable for high power and high frequency applications. -
Features
- 200V, 20A N-channel IGBT - Low VCE(sat) of 1.7V - High input impedance - Positive temperature coefficient - Fast switching speed - Low conduction losses - High current capability - RoHS compliant - TO-247 package with isolated mounting hole -
Pinout
The HGTG20N50C1D is a 3-pin IGBT transistor. It has a gate pin, a collector pin, and an emitter pin. The device is commonly used for high power switching applications due to its high current and voltage capabilities. -
Manufacturer
The HGTG20N50C1D is manufactured by Fairchild Semiconductor, a company that specializes in the design and production of power management and semiconductor technologies. Fairchild Semiconductor focuses on developing products for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The HGTG20N50C1D is commonly used in applications such as power supplies, motor drives, and welding equipment. Its high voltage and current capabilities make it well-suited for high-power applications where efficient switching and high-speed performance are required. -
Package
The HGTG20N50C1D chip is packaged in a TO-247 form with a size of 10.16mm x 15.24mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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