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ON FDMS86300
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDMS86300
Ficha de dados: FDMS86300 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: Power-56-8
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2777 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaFDMS86300 Descrição geral
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Características
- Max rDS(on) = 3.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A
- Max rDS(on) = 5.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 15.5 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
Aplicativo
- AC-DC Merchant Power Supply
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | Power-56-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V | Id - Continuous Drain Current | 42 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.4 V | Qg - Gate Charge | 59 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 104 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | Series | FDMS86300 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 9 ns | Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Height | 1.1 mm | Length | 6 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 26 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 31 ns | Width | 5 mm |
| Unit Weight | 0.002402 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDMS86300 chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers a low on-resistance, allowing for efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices and systems, such as battery chargers, DC-DC converters, and motor control circuits. Its compact size and high performance make it a popular choice for modern electronics.
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Features
The FDMS86300 features a high power density fifth-generation trench process, low on-resistance, and excellent thermal performance. It also has a logic-level gate drive, low gate charge, and a low gate resistance. Additionally, it offers a wide safe operating area (SOA) and reliable operation in various applications. -
Pinout
The FDMS86300 is a power MOSFET module with a pin count of 3. The pin functions include source, drain, and gate. -
Manufacturer
The FDMS86300 is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and production of power management and discrete semiconductor devices. -
Application Field
The FDMS86300 is a high-performance power-stage transistor designed for use in applications such as electric vehicles, industrial motor drives, and renewable energy systems. It offers low on-resistance and excellent thermal performance, making it suitable for high-power and high-voltage applications. -
Package
The FDMS86300 chip is available in a Power-33 package. Its form is a single, small surface-mount device (SMD). As for size, it typically measures around 5mm x 6mm or similar compact dimensions.
Ficha de dados PDF
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